+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
КТ3102В
Документация

КТ3102В, транзистор, (90-92г.)

Артикул:1207037
У поставщика
ПроизводительЭлекс
У поставщиков
95 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:95 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 50 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1351,90
от 50253,58
от 500194,99
Описание

КТ3102В — кремниевый n-p-n транзистор производства АО «Элекс». Выполнен в металлостеклянном корпусе KT-1-7 (TO-18) для монтажа в отверстия. Ключевые параметры: напряжение коллектор-эмиттер до 30 В, ток коллектора до 0,1 А, коэффициент усиления 200–500, граничная частота 300 МГц. Подходит для низкочастотных усилителей с малым уровнем шумов, переключающих и генераторных схем в промышленной и бытовой электронике.

Технические характеристики
Масса0.5 г (max)
Типn-p-n кремниевый эпитаксиально-планарный универсальный
КорпусМеталлостеклянный корпус с гибкими выводами
МатериалSilicon
Тип монтажаTHT
ПолярностьNPN
ПрименениеНизкочастотные устройства с малым уровнем шумов, переключающие, усилительные и генераторные устройства средней и высокой частоты
ПроизводительАО «Светлана», АО «Кремний», АО «Элекс», Нальчинский завод полупроводниковых приборов
КорпусKT-1-7 (TO-18)
Доп. примечанияВозможно инверсное включение, Пайка выводов: не ближе 5 мм от корпуса, не более 3 с, температура ≤ +260 °C, Маркировка: КТ3102В на боковой поверхности корпуса
СтруктураNPN
Электрические параметрыКоэффициент шума: Value: 10 дБ (max), 5 дБ (typ); Conditions: Uкэ=5V, Iэ=0.2mA, f=1kHz, Rg=2kΩ; Collector capacitance: Value: 6 пФ (max); Conditions: Uкб=5V; Feedback time constant: Value: 100 пс (max); Conditions: Uкб=5V, Iк=10mA; Граничная частота ft: Value: 300 МГц (min); Conditions: Uкб=5V, Iк=10mA; Emitter base reverse current: Value: 10 мкА (max); Conditions: Uэб=5V; Collector base reverse current: At 25C: Max: 0.05; Min: 0.015; Единица: мкА; At neg40C: Value: 0.015 мкА (max); At plus85C: Value: 5 мкА (max); Conditions: Uкб=30V; Collector emitter reverse current: Value: 0.05 мкА (max); Conditions: Uкэ=30V; Static current transfer ratio hfe: Max: 500; Min: 200; Conditions: Uкэ=5V, Iэ=2mA; At temp neg40: Max: 500; Min: 50; At temp plus85: Min: 200; Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: Value: 20V (min); Conditions: Iк=0, Iэ=10mA
Тепл. хар-киТепловое сопротивление переход-среда: 0.4 °C/мВт (400 °C/W)
Предельные значенияРассеиваемая мощность: 250 mW (T = -40...+25 °C); Collector current dc: 100mA; Напряжение эмиттер-база: 5V; Темп. перехода: не указано; Напряжение коллектор-база: 30V; Collector current pulse: 200mA (tи < 40 мкс, Q ≤ 500); Диапазон темп. окр.: -40...+85 °C; Напряжение коллектор-эмиттер: 30V
Напр-е к-э (Uкэо макс),В30
Коэф-т передачи тока hfe 200
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1

Заметили ошибку в описании или параметрах?