Документация
Биполярный транзистор NPN 50В 100мА 250мВт Кус 200-500 150МГц
У поставщика
ПроизводительДалекс
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
5 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:5 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 219,72 |
| от 11 | 206,13 |
| от 21 | 195,05 |
| от 42 | 186,81 |
| от 83 | 180,67 |
Описание
Биполярный NPN-транзистор КТ3102Б производства компании «Далекс» предназначен для работы в усилительных и переключающих цепях. Компонент отличается высоким коэффициентом усиления по току (200–500) и способен работать на частотах до 150 МГц. Применяется в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения, где требуется усиление слабых сигналов.
Технические характеристики
| Масса | 0.5g |
| Тип | NPN |
| Маркировка | КТ3102Б on side surface |
| Корпус | metal-glass with flexible leads |
| Масса макс. | 0.5g |
| Материал | Silicon |
| Тип монтажа | Выводной |
| Полярность | NPN |
| Структура | Epitaxial-planar |
| Применение | Low-frequency low-noise, switching, amplifier, generator |
| Hfe max 25c | 500 |
| Hfe min 25c | 200 |
| Hfe min 85c | 200 |
| Current c max | 100mA |
| Hfe max neg40c | 500 |
| Hfe min neg40c | 50 |
| Voltage cb max | 50V |
| Voltage ce max | 50V |
| Voltage eb max | 5V |
| Noise figure max | 10dB |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C |
| Время пайки макс. | 3s |
| Current c pulse max | 200mA |
| Noise figure typical | 5dB |
| Макс. ток коллектора | 100mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 250mW |
| Год выпуска | 2024 |
| Макс. коэффициент усиления по току | 500 |
| Hfe мин. | 200 |
| Напряжение эмиттер-база макс. | 5V |
| Frequency transition min | 300MHz |
| Мин. частота перехода | 300MHz |
| Collector capacitance max | 6pF |
| Inverse operation allowed | Да |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Температура пайки макс. | +260°C |
| Напряжение коллектор-база макс. | 50V |
| Feedback time constant max | 100ps |
| Collector current pulse max | 200mA |
| Soldering lead distance min | 5mm |
| Noise figure test conditions | Uke=5V, Ie=0.2mA, f=1kHz, Rg=2kOhm |
| Макс. напр. К-Э | 50V |
| Capacitance collector base max | 6pF |
| Dc current gain at low temp max | 500 |
| Dc current gain at low temp min | 50 |
| Условия hFE | Uke=5V, Ie=2mA, T=+25°C |
| Dc current gain at high temp min | 200 |
| Emitter base leakage current max | 10uA |
| Reverse current emitter base max | 10µA |
| Collector base leakage current max | 0.1uA |
| Reverse current collector base 25c | 0.05...0.1µA |
| Reverse current collector base 85c | 5µA |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 0.4°C/mW |
| Условия измерения fT | Ukb=5V, Ie=10mA |
| Collector capacitance test conditions | Ukb=5V |
| Collector emitter leakage current max | 0.1uA |
| Dc current gain at low temp conditions | Uke=5V, Ie=2mA, T=-40°C |
| Feedback time constant test conditions | Ukb=5V, Ie=10mA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30V |
| Dc current gain at high temp conditions | Uke=5V, Ie=2mA, T=+85°C |
| Emitter base leakage current test conditions | Ueb=5V |
| Collector base leakage current at low temp max | 0.05uA |
| Collector base leakage current test conditions | Ukb=50V, T=+25°C |
| Collector base leakage current at high temp max | 5uA |
| Collector emitter leakage current test conditions | Uke=50V |
| Collector emitter breakdown voltage test conditions | Ike=0, Ie=10mA |
| Collector base leakage current at low temp conditions | Ukb=50V, T=-40°C |
| Collector base leakage current at high temp conditions | Ukb=50V, T=+85°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?