Документация
Транзистор биполярный KSP2222ABU / NPN, 0.6А, 40В, TO-92
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы биполярные (BJTs)
У поставщиков
3 015 шт.
Норм. уп.: 1000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт12,93 ₽
Сумма1 293,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии3 015 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 100 штюрлицам и ИП
от 162 — 11,41 ₽ (−12%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 1 293,00 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 007,00 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
100 шт · Склад 13 · 1 293,00 ₽
Описание
Транзистор биполярный NPN KSP2222ABU производства ON Semiconductor. Компонент рассчитан на ток до 0,6 А и напряжение до 40 В, выполнен в корпусе TO-92. Предназначен для применения в схемах коммутации и усиления сигналов общего назначения. Отличается высокой надежностью и широко используется в маломощной электронике.
Технические характеристики
| Nf | 4dB |
| Частота fT | 300MHz |
| Время включения | 35ns |
| C obo | 8pF |
| T off | 285ns |
| Цоколевка | 1. Emitter 2. Base 3. Collector |
| Макс. ток коллектора | 600mA |
| P c max | 625mW |
| Корпус | TO-92 |
| Тепловое сопротивление RthJA | 200°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-корпус | 83.3°C/W |
| Температура перехода Tj, макс. | +150°C |
| Тип монтажа | Выводной |
| Компонент | KSP2222A |
| Ток коллектор-база, макс. | 0.01µA |
| Ток эмиттер-база, макс. | 10nA |
| Макс. напряжение коллектор-база | 75V |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер | 40V |
| Макс. напряжение эмиттер-база | 6.0V |
| Описание | NPN General Purpose Amplifier |
| Hfe min 1ma | 50 |
| Диапазон температуры хранения | -55 ~ +150°C |
| Hfe min 10ma | 75 |
| Напряжение пробоя V(BR)CBO, мин. | 75V |
| Напряжение пробоя коллектор-эмиттер, мин. | 40V |
| Мин. напряжение пробоя эмиттер-база | 6.0V |
| Размеры мм | Ширина корпуса: 4.74 ±0.04; Шаг выводов: 1.27; Высота корпуса: 4.58 +0.25/-0.15; Диаметр вывода: 0.46 ±0.10; Толщина корпуса: 3.60 ±0.20 |
| Hfe max 150ma | 300 |
| Hfe min 0 1ma | 35 |
| Hfe min 150ma | 100 |
| Hfe min 500ma | 40 |
| V ce sat 150ma | 0.3V |
| V ce sat 500ma | 1V |
| V be sat 150ma max | 1.2V |
| V be sat 150ma min | 0.6V |
| V be sat 500ma max | 2.0V |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Описание (англ.) | Bipolar transistor, NPN, 75 V, 0.8 A, 0.5 W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?