+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
KPC357NT0CTLD
Документация

Оптопара KPC357NT0CTLD

Артикул:103538
У поставщика
ПроизводительCOSMO
КатегорияОптопары
Ед. изм.шт
У поставщиков
263 444 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 39
В наличии:248 725 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 19,44
от 4258,01
от 7257,20
от 1 1756,56
от 1 9756,12
Склад 12
В наличии:9 900 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 4500 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 112,42
от 1006,95
от 1 0006,43
Склад 13
В наличии:4 819 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 78 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 18,86
от 5997,88
от 1 1977,22
от 3 0006,65
от 6 0006,29
Описание

Оптопара KPC357NT0CTLD производства COSMO представляет собой оптрон с выходным транзистором. Компонент предназначен для гальванической развязки цепей управления и сигнализации в промышленной и бытовой электронике. Отличается высокой надёжностью и стабильностью работы в широком диапазоне температур. Применяется в блоках питания, интерфейсах связи и системах автоматизации.

Технические характеристики
Типphotocoupler
Цоколевка1: Anode; 2: Cathode; 3: Emitter; 4: Collector
СерияKPC357NT
ТипФототранзисторная оптопара
Ток, А50 мА
Корпус4-pin Mini-Flat SOP
Без свинцаДа
Ctr rankC
Тип монтажаSMD
Класс MSL1
Кол-во выводов4
РазмерыШирина: 4.40±0.5mm; Высота: 2.0mm; Длина: 7.00±0.4mm; Шаг выводов: 2.54mm
Шаг выводов2.54mm
Описание4PIN MINI-FLAT PHOTOTRANSISTOR PHOTOCOUPLER
АртикулKPC357NT0CTLD
ПрименениеHybrid substrates that require high density mounting, Programmable controllers, DC-DC converters, Telecommunication equipments
Ширина корпуса4.40±0.5mm
Высота корпуса2.0mm
Длина корпуса7.00±0.4mm
Profile height2.0mm
Соотв. RoHSДа
Время пайки10 seconds
Прямое напряжениеMin: 1.2V; Typ: 1.4V; Condition: IF=20mA
Обратный токMax: 10uA; Condition: VR=4V
СертификатыUL1577 (No. E169586), c-UL (No. E169586), VDE DIN EN 60747-5-5 (No. 40014684), FIMKO EN60065, EN60950, CQC GB8898-2011, GB4943.1-2011
Количество в упаковке3000 units per reel
Tape reel optionTLD
Напр. изоляции3750Vrms
Response time fallMax: 20us; Typ: 4us; Condition: VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω
Response time riseMax: 20us; Typ: 5us; Condition: VCE=2V, IC=2mA, RL=100Ω
Макс. прямое напряжение1.4V
Типовое прямое напряжение1.2V
Макс. обратный ток10µA
Темп. хранения-55 to +125°C
Прямой ток50 мА
Floating capacitanceMax: 1.0pF; Typ: 0.6pF; Condition: V=0, f=1MHz
Сопр. изоляцииMin: 5x10^10Ω; Typ: 10^11Ω; Condition: DC500V, 40 to 60%RH
Saturation conditionIF=20mA, Ic=1mA
Terminal capacitanceMax: 250pF; Typ: 30pF; Condition: V=0, f=1MHz
Напряжение, В80 В
Input forward current50mA
Input reverse voltage6V
Раб. температура-55 to +115°C
Температура пайки260°C
Collector dark currentMax: 0.1uA; Condition: VCE=20V, IF=0
Current transfer ratioMax: 400%; Min: 200%; Rank: C; Condition: IF=5mA, VCE=5V
Response time fall max20µs
Response time fall typ4µs
Response time rise max20µs
Response time rise typ5µs
Рассеиваемая мощность входа70mW
Response time conditionVce=2V, Ic=2mA, RL=100Ω
Общая рассеиваемая мощность170mW
Макс. паразитная емкость1.0pF
Floating capacitance typ0.6pF
Сопротивление изоляции мин.5e10 Ω
Тип. сопр. изоляции1e11 Ω
Output collector current50mA
Макс. емкость вывода250pF
Terminal capacitance typ30pF
Прямое напряжениеIF=20mA
Вх. ток макс.50mA
Обр. напр. вх. макс.6V
Reverse current conditionVR=4V
Температура пайки макс.260°C
Диап. темп. хр.-55 to +125°C
Темновой ток коллектора макс.0.1µA
Current transfer ratio lowMin: 15%; Condition: IF=1mA, VCE=5V
Коэф. передачи макс.400%
Мин. коэфф. передачи тока200%
Input peak forward current1A
Isolation voltage condition1 minute
Диап. раб. темп.-55 to +115°C
Макс. ток коллектора50mA
Floating capacitance conditionV=0, f=1MHz
Input peak forward current max1A
Isolation resistance conditionDC500V, 40-60%RH
Terminal capacitance conditionV=0, f=1kHz
Collector dark current conditionVCE=20V, IF=0
Current transfer ratio conditionIF=5mA, VCE=5V
Output collector emitter voltage80V
Output emitter collector voltage5V
Current transfer ratio at 1mA min15%
Прямое напряжение1.2 В
Output collector power dissipation150mW
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерMin: 80V; Condition: IC=100uA, IF=0
Emitter collector breakdown voltageMin: 5V; Condition: IE=100uA, IF=0
Количество каналов1
Напряжение насыщения коллектор-эмиттерMax: 0.3V; Typ: 0.1V; Condition: IF=20mA, IC=1mA
Макс. Uкэ80V
Макс. Uэк5V
Collector emitter breakdown conditionIc=100µA, IF=0
Emitter collector breakdown conditionIE=100µA, IF=0
Обратное напряжение6 В
Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер80V
Emitter collector breakdown voltage max5V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс.0.3V
Тип. напряжение насыщения К-Э0.1V
Коэффициент передачи тока CTR,%, макс.600

Заметили ошибку в описании или параметрах?