Документация
КП350А, транзистор N канал КТ-1-12
У поставщика
ПроизводительОКТЯБРЬ
У поставщиков
18 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:18 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 50 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 320,85 |
| от 50 | 230,81 |
| от 500 | 177,35 |
Описание
Транзистор КП350А от производителя «ОКТЯБРЬ» — это N-канальный полевой MOSFET с двумя затворами. Компонент рассчитан на частоту до 700 МГц, ток стока до 30 мА и напряжение сток-затвор до 21 В, выпускается в металлостеклянном корпусе КТ-1-12 для монтажа в отверстия. Применяется в высокочастотных усилителях и радиоприёмной аппаратуре.
Технические характеристики
| Масса | 0.7g |
| Тип | N-channel dual-gate MOSFET |
| Корпус | KT-1-12 |
| Тип монтажа | THT |
| Корпус | KT-114 |
| Макс. частота | 700 MHz |
| Current drain max | 30 mA |
| Вх. емкость | 2.9...6 pF |
| Soldering voltage | 6...12 V |
| Темп. диапазон | -45...+85°C |
| Выходная емкость | 2.9...6 pF |
| Структура | N-FET |
| Noise figure 400mhz | 3.7...6 dB |
| Soldering power max | 60 W |
| Lead bend radius min | 1.5 mm |
| Output conductance max | 250 µS |
| Lead distance from case | 3 mm |
| Voltage gate1 drain max | 21 V |
| Voltage gate2 drain max | 15 V |
| Gate leakage current max | 5 nA |
| Voltage drain source max | 15 V |
| Voltage gate1 source max | 15 V |
| Voltage gate2 source max | 15 V |
| Cutoff voltage first gate | 0.07...6 V |
| Типовая входная емкость | 3.5 pF |
| Power dissipation 25c max | 200 mW |
| Power dissipation 85c max | 100 mW |
| Cutoff voltage second gate | 0.15...4.5 V |
| Тип. выходная емкость | 3.2 pF |
| Noise figure 400mhz typical | 3.8 dB |
| Обратная проходная емкость | 0.03...0.07 pF |
| Transconductance second gate | 0.5...0.85 mA/V |
| Initial drain current 25c max | 3.5 mA |
| Transconductance first gate 25c | 6...13 mA/V |
| Transconductance first gate 85c | 4...10 mA/V |
| Cutoff voltage first gate typical | 0.7 V |
| Cutoff voltage second gate typical | 0.5 V |
| Reverse transfer capacitance typical | 0.05 pF |
| Transconductance first gate minus45c | 6...13 mA/V |
| Transconductance second gate typical | 0.7 mA/V |
| Initial drain current minus45 85c max | 6 mA |
| Transconductance first gate 25c typical | 10 mA/V |
| Transconductance first gate 85c typical | 8 mA/V |
| Transconductance first gate minus45c typical | 11.5 mA/V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 15 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.03 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?