Документация
Транзистор полевой КП303Е
У поставщика
У поставщиков
1 200 шт.
Норм. уп.: 30
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 30
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 78,66 |
| от 30 | 46,16 |
| от 300 | 32,94 |
Описание
Полевой транзистор КП303Е от производителя ФОТОН. Работает с напряжением до 30 В и током стока до 10 мА, выпускается в металлостеклянном корпусе. Применяется в усилительных и ключевых схемах промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | N-channel JFET |
| Корпус | metal-glass case with flexible leads |
| Масса макс. | 0.5g |
| Тип монтажа | THT |
| Gate current max | 5mA |
| Drain current max | 20mA |
| Вх. емкость | <=6pF |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C |
| Cutoff voltage max | 8V |
| Noise figure 100MHz | <=4dB |
| Initial drain current | 5..20mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW |
| Gate drain voltage max | 30V |
| Power derating formula | Pmax = 200 - 1.66 * (T - 25) mW for T from +25°C to +85°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | 30V |
| Lead bending radius min | 1.5mm |
| Макс. напряжение сток-исток | 25V |
| Gate leakage current 25C | <=1nA |
| Gate leakage current 30V | <=10µA |
| Gate leakage current 85C | <=1µA |
| Transconductance min 25C | 4 mA/V |
| Transconductance min 85C | 2 mA/V |
| Обратная проходная емкость | <=2pF |
| Soldering distance from body min | 4mm |
| Isolation resistance channel case | >=20MOhm |
| Lead bending distance from body min | 3mm |