Документация
Транзистор полевой КП303Е
У поставщика
У поставщиков
1 000 шт.
Норм. уп.: 30
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт46,16 ₽
Сумма4 616,00 ₽
В наличии1 000 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 300 — 32,94 ₽ (−29%)
100 шт · Склад 12 · 4 616,00 ₽
Описание
Полевой транзистор КП303Е от производителя ФОТОН. Работает с напряжением до 30 В и током стока до 10 мА, выпускается в металлостеклянном корпусе. Применяется в усилительных и ключевых схемах промышленной автоматики и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | N-channel JFET |
| Корпус | metal-glass case with flexible leads |
| Масса макс. | 0.5g |
| Тип монтажа | Выводной |
| Gate current max | 5mA |
| Макс. ток стока | 20mA |
| Вх. емкость | <=6pF |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C |
| Cutoff voltage max | 8V |
| Структура | N-FET |
| Noise figure 100MHz | <=4dB |
| Начальный ток стока | 5..20mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200mW |
| Gate drain voltage max | 30V |
| Power derating formula | Pmax = 200 - 1.66 * (T - 25) mW for T from +25°C to +85°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | 30V |
| Lead bending radius min | 1.5mm |
| Макс. напряжение сток-исток | 25V |
| Gate leakage current 25C | <=1nA |
| Gate leakage current 30V | <=10µA |
| Gate leakage current 85C | <=1µA |
| Transconductance min 25C | 4 mA/V |
| Transconductance min 85C | 2 mA/V |
| Обратная проходная емкость | <=2pF |
| Мин. расстояние от корпуса | 4mm |
| Isolation resistance channel case | >=20MOhm |
| Мин. расстояние изгиба вывода от корпуса | 3mm |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?