Документация
КП303Б, транзистор N-канал КТ-112 никель
У поставщика
ПроизводительФОТОН
У поставщиков
1 500 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 12срок до недели
Цена за шт67,79 ₽
Сумма6 779,00 ₽
В наличии1 500 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 1 000 — 48,43 ₽ (−29%)
100 шт · Склад 12 · 6 779,00 ₽
Описание
Транзистор N-FET КП303Б производства «ФОТОН» — это кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с управляющим p-n-переходом. Выполнен в металлостеклянном корпусе КТ-112 для монтажа в отверстия, выдерживает напряжение сток-исток до 25 В и ток до 20 мА при мощности 200 мВт. Подходит для низкочастотных усилителей с высоким входным сопротивлением.
Технические характеристики
| Масса | 0.5g |
| Корпус | metal-glass (КТ-112) |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | silicon epitaxial-planar |
| Применение | low-frequency amplifiers with high input impedance |
| Тип канала | N |
| Корпус | KT-112 |
| Тип компонента | N-channel JFET |
| Механические данные | Lead bending radius: 1.5 mm; Soldering iron grounded: Да; Soldering min distance from body: 4 mm; Lead bending min distance from body: 3 mm |
| Структура | N-FET |
| Электрические параметры | Напряжение отсечки: 0.5..3 V; Крутизна: At 25C: 1..4 mA/V; At 85C min: 0.5 mA/V; Conditions: Vds=10V, Vgs=0, f=50..1500 Hz; At minus 40C min: 1 mA/V; Ток утечки затвора: At 25C max: 1 nA; At 85C max: 1 µA; Conditions: Vgs=10V unless otherwise stated; At Vgs 30V max: 10 µA; Начальный ток стока: 0.5..2.5 mA; Входная емкость макс.: 6 pF; Cutoff voltage conditions: Vds=10V, Id=0.01 mA; Условия измерения входной ёмкости: Vds=10V, Vgs=0, f=10 MHz; Initial drain current conditions: Vds=10V, Vgs=0; Макс. проходная ёмкость: 2 pF; Insulation resistance channel case min: 20 MOhm; Reverse transfer capacitance conditions: Vds=10V, Vgs=0, f=10 MHz |
| Предельные значения | Снижение мощности: 200 - 1.66*(T-25) mW for T=25..85°C; Gate drain voltage: 30 V; Напряжение затвор-исток: 30 V; Напряжение сток-исток: 25 V; Forward gate current: 5 mA; Непрерывный ток стока: 20 mA; Рассеиваемая мощность при 25 °C: 200 mW; Диап. раб. темп.: -40..+85 °C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?