Документация
КП303Б, транзистор N-канал КТ-112 никель
У поставщика
ПроизводительФОТОН
У поставщиков
1 500 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 124,20 |
| от 100 | 67,79 |
| от 1 000 | 48,43 |
Технические характеристики
| Масса | 0.5g |
| Корпус | metal-glass (КТ-112) |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | silicon epitaxial-planar |
| Применение | low-frequency amplifiers with high input impedance |
| Channel type | N |
| Корпус | KT-112 |
| Тип компонента | N-channel JFET |
| Mechanical data | Lead bending radius: 1.5 mm; Soldering iron grounded: Да; Soldering min distance from body: 4 mm; Lead bending min distance from body: 3 mm |
| Структура | N-FET |
| Электрические параметры | Cutoff voltage: 0.5..3 V; Transconductance: At 25C: 1..4 mA/V; At 85C min: 0.5 mA/V; Conditions: Vds=10V, Vgs=0, f=50..1500 Hz; At minus 40C min: 1 mA/V; Gate leakage current: At 25C max: 1 nA; At 85C max: 1 µA; Conditions: Vgs=10V unless otherwise stated; At Vgs 30V max: 10 µA; Initial drain current: 0.5..2.5 mA; Входная емкость макс.: 6 pF; Cutoff voltage conditions: Vds=10V, Id=0.01 mA; Input capacitance conditions: Vds=10V, Vgs=0, f=10 MHz; Initial drain current conditions: Vds=10V, Vgs=0; Reverse transfer capacitance max: 2 pF; Insulation resistance channel case min: 20 MOhm; Reverse transfer capacitance conditions: Vds=10V, Vgs=0, f=10 MHz |
| Предельные значения | Снижение мощности: 200 - 1.66*(T-25) mW for T=25..85°C; Gate drain voltage: 30 V; Напряжение затвор-исток: 30 V; Напряжение сток-исток: 25 V; Forward gate current: 5 mA; Continuous drain current: 20 mA; Power dissipation at 25C: 200 mW; Диап. раб. темп.: -40..+85 °C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |