Документация
КП303А, никель
У поставщика
ПроизводительФОТОН
У поставщиков
1 200 шт.
Норм. уп.: 100
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:1 200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 100
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 83,84 |
| от 100 | 49,16 |
| от 1 000 | 35,09 |
Технические характеристики
| Тип | N-channel JFET |
| Корпус | metal-glass with flexible leads |
| Масса макс. | 0.5 g |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Корпус | KT-112 |
| Drain current max | 20 mA |
| Noise emf 20Hz max | 30 nV/√Hz |
| Структура | N-FET |
| Solder distance min | 4 mm |
| Lead bend radius min | 1.5 mm |
| Входная емкость макс. | 6 pF |
| Макс. рассеиваемая мощность | 200 mW |
| Gate drain voltage max | 30 V |
| Lead bend distance min | 3 mm |
| Напряжение затвор-исток макс. | 30 V |
| Pinch off voltage range | 0.5..3 V |
| Soldering iron grounded | Да |
| Макс. напряжение сток-исток | 25 V |
| Forward gate current max | 5 mA |
| Power derating above 25C | 1.66 mW/°C |
| Transconductance min 40C | 1 mA/V |
| Transconductance min 85C | 0.5 mA/V |
| Макс. раб. темп. | 85 °C |
| Мин. раб. темп. | -40 °C |
| Transconductance range 25C | 1..4 mA/V |
| Initial drain current range | 0.5..2.5 mA |
| Lead single bend radius min | 5 mm |
| Gate leakage current max 30V | 10 µA |
| Gate leakage current max 25C 10V | 1 nA |
| Gate leakage current max 85C 10V | 1 µA |
| Reverse transfer capacitance max | 2 pF |
| Channel case insulation resistance min | 20 MΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.2 |