Документация
КП302ВМ, транзистор N канал ТО-18 1991г.
У поставщика
ПроизводительОКТЯБРЬ
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 150 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 382,95 |
| от 10 | 271,17 |
| от 100 | 208,89 |
Описание
КП302ВМ — кремниевый N-канальный полевой транзистор с управляющим p-n переходом (JFET) производства «Октябрь». Выполнен в металлостеклянном корпусе ТО-18 для монтажа в отверстия. Ключевые параметры: максимальное напряжение сток-исток 20 В, рассеиваемая мощность до 300 мВт, время включения не более 4 нс. Применяется в высокочастотных ключевых схемах и аналоговых коммутаторах промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Масса | 1.5g |
| Тип | КП302ВМ |
| Корпус | TO-18 (metal-glass) |
| Тип монтажа | THT |
| Технология | JFET |
| Описание | Silicon planar N-channel JFET with p-n junction gate |
| Channel type | n-channel |
| Корпус | TO-18 |
| Структура | N-FET |
| Pinch off voltage max | 10V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 300mW |
| Switching time on max | 4ns |
| Gate drain voltage max | 20V |
| Макс. выходная емкость | 20pF |
| Switching time off max | 5ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | 12V |
| Макс. напряжение сток-исток | 20V |
| Gate leakage current max | 10nA |
| Switching time condition | Vds=10V, Vgs=0V |
| Drain current initial min | 33mA |
| Макс. раб. темп. | +100°C |
| Мин. раб. темп. | -60°C |
| Диап. темп. хр. | -60°C to +100°C |
| Power dissipation derating | 300 - 2*(T-25) mW |
| Pinch off voltage condition | Vds=7V, Id=10µA |
| Output capacitance condition | Vds=10V, f=10MHz, Id=33mA |
| Gate leakage current max 100c | 5µA |
| Gate drain reverse current max | 1µA |
| Gate leakage current condition | Vgs=10V, T=25°C |
| Drain current initial condition | Vgs=0V, Vds=10V |
| Reverse transfer capacitance max | 8pF |
| Drain source on resistance max 25c | 100Ω |
| Drain source on resistance max 125c | 200Ω |
| Gate leakage current condition 100c | Vgs=10V, T=100°C |
| Drain source on resistance condition | Vgs=0V, Vds=0.2V, T=25°C |
| Gate drain reverse current condition | Vgd=20V |
| Reverse transfer capacitance condition | Vds=10V, f=10MHz, Id=33mA |
| Drain source on resistance condition 125c | Vgs=0V, Vds=0.2V, T=125°C (for 2П302В only) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?