Документация
Транзистор полевой КП103И1
У поставщика
У поставщиков
270 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:270 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 200 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 41,40 |
| от 10 | 31,05 |
| от 100 | 23,81 |
Описание
Полевой транзистор КП103И1 производства «ОКТЯБРЬ» — это P-channel JFET в пластиковом корпусе с гибкими выводами (аналог TO-92) для монтажа в отверстия. Ключевые параметры: начальный ток стока 0,8–1,8 мА, напряжение отсечки 0,8–3 В, крутизна 0,8–2,6 мА/В и низкий коэффициент шума до 3 дБ. Применяется в аналоговых усилителях, входных каскадах измерительной техники и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Масса | ≤1 g |
| Тип | КП103И1 |
| Вес | 1g maximum |
| Channel | p-channel |
| Корпус | plastic case with flexible leads |
| Тип монтажа | сквозное отверстие |
| Компонент | КП103И1 |
| Технология | silicon diffused-planar with p-n junction gate |
| Коэффициент шума | Value: ≤3 dB; Conditions: Частота: 1000 Hz; Gate voltage: 0 V; Drain voltage: 5 V; Сопротивление нагрузки: 2 MΩ; Source resistance: 1 MΩ |
| Корпус | KT-26 |
| Transconductance | At 25C: Value: 0.8..2.6 mA/V; Conditions: Gate voltage: 0 V; Drain voltage: 5 V; At 85C: Value: 0.48..2.6 mA/V; Conditions: Gate voltage: 0 V; Drain voltage: 5 V; At minus55C: Value: 0.8..4.15 mA/V; Conditions: Gate voltage: 0 V; Drain voltage: 5 V |
| Pinch off voltage | Value: 0.8..3 V; Conditions: Drain current: 10 μA; Drain voltage: 10 V |
| Структура | P-FET |
| Initial drain current | Value: 0.8..1.8 mA; Conditions: Gate voltage: 0 V; Drain voltage: 10 V |
| Max operating frequency | 3 MHz |
| Диап. раб. темп. | -55 to +85 °C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.021 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?