Документация
КП 327 А
У поставщика
ПроизводительОКТЯБРЬ
У поставщиков
180 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:180 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 500 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 81,77 |
| от 50 | 47,51 |
| от 500 | 33,94 |
Описание
КП 327 А — это двухзатворный N-канальный MOSFET от завода «Пульсар» (Москва) в пластиковом корпусе с гибкими выводами для поверхностного монтажа. Транзистор рассчитан на частоты до 800 МГц, выдерживает напряжение сток-исток до 14 В и ток стока до 30 мА при рассеиваемой мощности 200 мВт. Применяется в УВЧ-трактах промышленной и связной аппаратуры, например, в усилителях радиочастотных сигналов.
Технические характеристики
| Тип | dual-gate N-channel MOSFET |
| Вес | 0.3g |
| Корпус | plastic with flexible strip leads |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | КП327А |
| Производитель | Завод Пульсар, Москва |
| Диап. частот | designed for 800 MHz (UHF) |
| Темп. диапазон | -45 to +85°C |
| Предельные значения | Gate current: 10mA; Drain current: 30mA; Рассеиваемая мощность: 200mW at -45 to +60°C, derate 2.5mW/°C above 60°C; Gate1 drain voltage: 16V; Gate2 drain voltage: 16V; Напряжение сток-исток: 14V; Gate1 source voltage: 5V; Gate2 source voltage: 5V |
| Электрические характеристики | Power gain: Min: 13dB; Частота: 800MHz; Коэффициент шума: Max: 3.9dB; Частота: 800MHz; Условия теста: Drain current: 10mA; Напряжение сток-исток: 10V; Gate2 source voltage: 4V; Transconductance: At 85degC min: 8mA/V; At 25degC and minus45degC min: 9.5mA/V; Gain control range: Max: 40dB; Частота: 800MHz; Gate leakage current: max 50nA at Vgs=±5V; Initial drain current: At 25degC Uds10V: 0.1...17mA; Diode breakdown voltage: 6...18V at 10mA; Gate source capacitance: 1.3...2.3pF at Uds=10V, Vg1s=0, Vg2s=-2V; Drain source capacitance: max 1.3pF at Uds=10V, Vg1s=0, Vg2s=4V; Reverse transfer coefficient: Max: -30dB; Частота: 800MHz |
Заметили ошибку в описании или параметрах?