
Документация
Диодный мост 4А 1000В KBL410
У поставщика
ПроизводительGalaxy ME
У поставщиков
2 086 шт.
Норм. уп.: 500
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт26,68 ₽
Сумма800,40 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии2 086 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 30 штюрлицам и ИП
от 45 — 25,30 ₽ (−5%)
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 800,40 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 499,60 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 800,40 ₽
Описание
Диодный мост KBL410 от Galaxy ME рассчитан на ток 4 А и обратное напряжение до 1000 В. Компонент выполнен в стандартном корпусе KBL. Подходит для выпрямления переменного напряжения в блоках питания и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Тип | кремниевый мостовой выпрямитель |
| Особенности | Rating to 1000V PRV KBL, Surge overload rating to 150 Amperes peak, Ideal for printed circuit board, Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique, Lead solderable per MIL-STD-202 method 208 |
| Тип монтажа | THT |
| Частота | 60 Hz |
| Тип нагрузки | Resistive or inductive load; derate 20% for capacitive load |
| Ширина корпуса | 6.1 ± 0.2 mm |
| Высота корпуса | 1.5 mm |
| Длина корпуса | 18.9 ± 0.5 mm |
| Артикул | KBL410 |
| Расстояние между выводами | 5.0 mm |
| Производитель | Galaxy Electrical |
| Корпус | KBL |
| Диаметр вывода | 1.3 ± 0.1 mm |
| Среднеквадратичное напряжение, макс. | 700V |
| Макс. прямое напряжение | 1.0V at 2.0A |
| Примечание | Диодный мост 4А 1000В |
| Обратный ток при 25°C | 10 µA |
| Напряжение блокировки DC, макс. | 1000V |
| Обратный ток при 100°C | 1 mA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Peak reverse voltage max | 1000V |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Описание (англ.) | Diode Bridge 4A,1000V |
| Peak forward surge current max | 150A |
| Average forward output current max | 4.0A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?