
Документация
Микросхема памяти K4S64 1632H-TC75/54TSOP
Нет в наличии
Описание
Микросхема памяти Samsung K4S64 1632H — это 64-мегабитная SDRAM в корпусе 54-pin TSOP(II) для поверхностного монтажа. Работает при напряжении 3.3 В с тактовой частотой до 133 МГц, поддерживает программируемую задержку CAS и пакетную передачу данных. Применяется в промышленной автоматике, сетевом оборудовании и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Интерфейс | LVTTL |
| Шаг выводов | 0.8mm |
| Cas latency | 2 and 3 (programmable) |
| Burst length | 1, 2, 4, 8, full page |
| Организация | 4 banks x 1,048,576 words x 16 bits (64Mb) |
| Тип упаковки | 54-pin TSOP(II) |
| Способ монтажа | SMD |
| Refresh period | 64ms (4K cycles) |
| Напряжение питания | 3.0V to 3.6V (typical 3.3V) |
| Рассеиваемая мощность | 1W (max) |
| Размеры упаковки | 10.16mm x 22.22mm x 1.20mm max |
| Макс. тактовая частота | 133MHz |
| Output capacitance dq | 4.0pF to 6.0pF (max 6.0pF for -75) |
| Standby current icc2p | 1mA |
| Supply voltage output | 3.0V to 3.6V (VDDQ same as VDD) |
| Operating current icc1 | 75mA |
| Input capacitance clock | 2.5pF to 3.5pF (max 3.5pF for -75) |
| Input capacitance address | 2.5pF to 3.8pF (max 3.8pF for -75) |
| Input capacitance control | 2.5pF to 3.8pF (max 3.8pF for -75) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диап. раб. темп. | 0°C to 70°C |
