Документация
Микросхема памяти К155РУ2
У поставщика
У поставщиков
100 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:100 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 50,72 |
| от 50 | 29,70 |
| от 500 | 21,22 |
Описание
Микросхема памяти К155РУ2 производства «Микрон» — это оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) ёмкостью 64 бита (16 слов по 4 разряда) с произвольной выборкой. Работает при напряжении 5 В, потребляемый ток — не более 105 мА, время выборки — до 105 нс. Корпус — 238.16-2 или 201.16-5, монтаж в отверстия (THT). Применяется в промышленной автоматике и измерительной технике.
Технические характеристики
| Масса | ≤2.5g |
| Корпус | 238.16-2 or 201.16-5 (16-pin DIP) |
| Тип монтажа | THT |
| Кол-во выводов | 16 |
| Описание | Оперативное запоминающее устройство на 64 бит (16 слов х 4 разряда) с произвольной выборкой |
| Артикул | К155РУ2 |
| Data hold time | 10ns |
| Ток питания | ≤ 105mA |
| Напряжение питания | 5V ±5% |
| Блокирующее напряжение | ≥ -1.5V |
| Входной ток низкого уровня | ≤ -1.6mA |
| Write pulse width | 40ns |
| Входной ток высокого уровня | ≤ 0.04mA |
| Number of elements | 803 |
| Низкое выходное напряжение | ≤0.4V |
| Организация памяти | 16 words x 4 bits (64 bit) |
| Output current hold | ≤ 20µA |
| Address enable delay | ≤ 105ns |
| Static power per bit | ≤ 8.6mW |
| Address disable delay | ≤ 60ns |
| Input breakdown current | ≤ 1mA |
| Output low voltage read | ≤ 0.4V |
| Write recovery time low | ≤ 70ns |
| Chip enable enable delay | ≤ 50ns |
| Enable delay from enable | ≤ 50ns |
| Output high current read | ≤ 20µA |
| Write recovery time high | ≤ 70ns |
| Chip enable disable delay | ≤ 50ns |
| Disable delay from enable | ≤ 50ns |
| Enable delay from address | ≤ 105ns |
| Disable delay from address | ≤ 60ns |
| Output low voltage standby | ≤ 0.4V |
| Recommended data hold time | 10ns |
| Output high current standby | ≤ 20µA |
| Output high current storage | ≤ 20µA |
| Recommended input slew rate | ≤150ns |
| Recommended address hold time | ≥20ns |
| Recommended write pulse width | 40ns |
| Recovery time after write low | ≤ 70ns |
| Enable access time high to low | ≤ 50ns |
| Enable access time low to high | ≤ 50ns |
| Input pulse rise fall time max | 150ns |
| Output high current unselected | ≤ 20µA |
| Recovery time after write high | ≤ 70ns |
| Address access time high to low | ≤ 60ns |
| Address access time low to high | ≤ 60ns |
| Address hold time relative to write | ≥ 20ns |
| Chip enable access time high to low | ≤ 50ns |
| Chip enable access time low to high | ≤ 50ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?