Документация
Транзистор полевой J113 / N-канал, TO-92, 0.35А, 30В
У поставщика
ПроизводительON Semiconductor
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
325 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:325 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 30 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 23,70 |
| от 53 | 22,85 |
| от 106 | 21,72 |
| от 211 | 20,34 |
| от 422 | 19,04 |
Описание
Транзистор полевой J113 производства ON Semiconductor — это N-канальный компонент в корпусе TO-92. Предназначен для работы в цепях коммутации и усиления сигналов с током стока до 0,35 А и напряжением до 30 В. Благодаря высокой скорости переключения и низкому сопротивлению канала в открытом состоянии, широко применяется в аналоговых ключах и импульсных схемах.
Технические характеристики
| Корпус | TO-92 3L |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | N-Channel Switch |
| Артикул | J113 |
| Тестовая частота | 1.0MHz |
| Снижение выше 25°C | 5.0mW/°C |
| Drain gate voltage max | 35V |
| Напряжение затвор-исток макс. | -35V |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Forward gate current max | 50mA |
| Gate reverse current max | -1.0nA |
| Total device dissipation | 625mW |
| Drain gate on capacitance | 28pF |
| Drain gate off capacitance | 5.0pF |
| Source gate on capacitance | 28pF |
| Source gate off capacitance | 5.0pF |
| Описание (англ.) | JFET N-CH 35V 625mW TO92 |
| Макс. Rси вкл. | 100Ω |
| Gate source cutoff voltage max | -3.0V |
| Gate source cutoff voltage min | -0.5V |
| Drain cutoff leakage current max | 1.0nA |
| Gate source breakdown voltage min | -35V |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 125°C/W |
| Zero gate voltage drain current min | 2.0mA |
| Термосопротивление переход-среда | 200°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?