Документация
Драйвер MOSFET 4А 2 выхода верхнее/нижнее плечо полумостовой инвертирующий/неинвертирующий 8-Pin SOIC N
У поставщика
ПроизводительRENESAS
КатегорияДрайверы Full и Half-Bridge
У поставщиков
59 шт.
Норм. уп.: 98
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:59 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 98
Минимальная партия: 10 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 75,42 |
| от 10 | 73,84 |
| от 19 | 71,66 |
| от 38 | 68,33 |
| от 98 | 63,85 |
Описание
Драйвер MOSFET от Renesas с двумя выходами для верхнего и нижнего плеча. Рассчитан на выходной ток до 4 А, поддерживает инвертирующий и неинвертирующий режимы управления. Выполнен в компактном корпусе SOIC-8. Применяется в импульсных источниках питания и преобразователях для промышленной автоматики.
Технические характеристики
| MSL | Pb-free peak reflow compliant |
| Корпус | SOIC-8 |
| Функция | Dual MOSFET driver for synchronous-rectified buck converter |
| Тип монтажа | SMD |
| Тип входа | PWM input, three-state |
| Описание | High Voltage Synchronous Rectified Buck MOSFET Driver |
| Покрытие выводов | 100% matte tin (e3) |
| Артикул | ISL6208IBZ |
| On resistance | 0.5Ω |
| Rise fall time | under 10ns (3000pF load) |
| Соотв. RoHS | Да |
| Diode emulation | Да |
| Vcc absolute max | 7V |
| Задержка распространения | 8ns |
| Размеры упаковки | M8.15 |
| Supply voltage vcc | 5V ±10% |
| Vcc power on reset | Да |
| Bias supply current | 80µA (5V) |
| Диап. вх. напр. | -0.3V to VCC + 0.3V |
| Lgate voltage range | GND - 0.3V to VCC + 0.3V |
| Ugate voltage range | VPHASE - 0.3V to VBOOT |
| Output configuration | High-side and low-side gate driver |
| Capacitive load drive | 3000pF |
| Sink current low side | 4A typical |
| Тепловое сопротивление JA | 110°C/W |
| Тепловое сопротивление JC | 67°C/W |
| Макс. частота переключения | 2MHz |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Boot to phase voltage dc | 7V |
| Boot voltage absolute max | 33V |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Boot to phase voltage peak | 9V (<10ns) |
| Phase voltage absolute max | 30V |
| Диап. раб. темп. | -40°C to +100°C |
| Макс. температура перехода | +125°C |
| Описание (англ.) | MOSFET DRVR 4A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N |
| Adaptive shoot through protection | Да |
| Internal bootstrap schottky diode | Да |
| Three state shutdown holdoff time | 160ns typical |
| Phase voltage negative absolute max | -0.3V (DC), -10V (<20ns pulse, 10µJ) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?