Документация
Статическая память 1мБит 8,8нс 3.3В
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 252,76 |
| от 10 | 237,35 |
| от 19 | 224,79 |
| от 38 | 215,44 |
| от 76 | 208,48 |
Описание
ISSI выпускает статическую память (SRAM) объемом 1 Мбит с организацией 128K x 8 бит. Микросхема работает при напряжении от 2,4 до 3,6 В, обеспечивает время доступа 8–10 нс и выпускается в корпусе TSOP32-II. Подходит для высокоскоростных буферов и кэш-памяти в промышленной автоматике и телекоммуникационном оборудовании.
Технические характеристики
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Access time | 10 ns |
| Объем памяти | 1 Mbit |
| Артикул | IS63WV1288DBLL-10TLI-TR |
| Организация | 128K x 8 |
| Тип упаковки | 32-pin TSOP Type II |
| Корпус | TSOP32-II |
| Лента и катушка | Да |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.4V |
| Active power typical | 135 mW |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Standby power typical | 12 µW |
| Active current typical | 40 mA |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.0V |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 1.8V |
| Типовой ток в режиме ожидания | 3 µA |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. ток утечки входа | 1 µA |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Макс. ток утечки | 1 µA |
| Описание (англ.) | 1MB,HIGH-SPEED/LOW POWER,ASYNC,128K X 8,8NS/3.3V OR 10NS/2.4V-3.6V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?