Документация
Статическая память 1мБит 8,8нс 3.3В
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
2 шт.
Норм. уп.: 117
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 117
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 188,08 |
| от 5 | 185,04 |
| от 9 | 180,95 |
| от 17 | 174,83 |
| от 34 | 165,34 |
Описание
ISSI выпускает статическую память IS63WV1288DBLL-10TLI объемом 1 Мбит. Это асинхронная микросхема с организацией 128K x 8, временем доступа 10 нс и питанием 3.3 В. Работает в расширенном температурном диапазоне от -40 до +85 °C в корпусе TSOP32-II. Применяется в промышленной автоматике и встраиваемых системах, где требуется высокая скорость и низкое энергопотребление.
Технические характеристики
| Тип | Static RAM (SRAM) |
| Корпус | 32-pin TSOP Type II |
| Тип монтажа | SMD |
| Технология | CMOS |
| Access time | 10 ns |
| Объем памяти | 128K x 8 (1 Mbit) |
| Артикул | IS63WV1288DBLL-10TLI |
| Корпус | TSOP32-II |
| Input leakage max | 1 µA |
| Output leakage max | 1 µA |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.4V |
| Active power typical | 135 mW |
| Примечание | 128K x 8, 10 ns |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.5W |
| Standby power typical | 12 µW |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.0V |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 1.8V |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tray (палетта) |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Абс. макс. напряжение питания | 3.9V |
| Описание (англ.) | 1MB,HIGH-SPEED/LOW POWER,ASYNC,128K X 8,8NS/3.3V OR 10NS/2.4V-3.6V |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?