Документация
Статическое ОЗУ питание 3.3В 4М-бит 512Kx8 55нс асинхронное
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
42 шт.
Норм. уп.: 117
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:42 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 117
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 182,56 |
| от 2 | 180,23 |
| от 4 | 177,19 |
| от 8 | 173,27 |
| от 16 | 168,14 |
Описание
ISSI выпускает асинхронную микросхему статической памяти (SRAM) объёмом 4 Мбит с организацией 512K x 8. Чип работает при напряжении 3.3 В и обеспечивает время доступа 55 нс, корпус — TSOP32-II. Подходит для применения в промышленной автоматике, телекоммуникационном оборудовании и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Корпус | 32-pin TSOP Type II |
| Vih min | 2.2V |
| Vil max | 0.6V |
| Voh min | 2.2V at IOH=-1mA |
| Vol max | 0.4V at IOL=2.1mA |
| Тип монтажа | SMD |
| Access time | 55ns |
| Объем памяти | 4 Mbit |
| Артикул | IS62WV5128BLL-55T2LI |
| Организация | 512K x 8 |
| Корпус | TSOP32-II |
| Напряжение питания | 2.5V to 3.6V |
| Terminal voltage | -0.2V to VDD+0.3V |
| Вх. емкость | 8 pF |
| Выходная емкость | 10 pF |
| Standby current ttl | 0.35 mA |
| Темп. хранения | -65°C to +150°C |
| Standby current cmos | 15 µA |
| Примечание | 512K x 8, 55ns, 3.3V |
| Макс. потребление | 162 mW (industrial dynamic) |
| Тип упаковки | Palette (палетта) |
| Power consumption typical | 36 mW |
| Temperature range industrial | -40°C to +85°C |
| Описание (англ.) | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 512K x 8 55ns |
| Absolute max power dissipation | 1.0 W |
| Operating supply current f1mhz | 15 mA |
| Operating supply current dynamic | 40 mA (commercial), 45 mA (industrial) |
Заметили ошибку в описании или параметрах?