Документация
Статическое ОЗУ питание 3.3В 4М-бит 256Kx16 55нс асинхронное
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
32 шт.
Норм. уп.: 135
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:32 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 135
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 377,43 |
| от 7 | 355,66 |
| от 14 | 337,92 |
| от 27 | 324,73 |
| от 54 | 314,92 |
Описание
ISSI выпускает асинхронное статическое ОЗУ (SRAM) объемом 4 Мбит с организацией 256K x 16. Микросхема работает при напряжении 3.3 В, имеет время доступа 55 нс и выполнена в корпусе TSOP44-II. Подходит для применения в промышленной автоматике, телекоммуникационном оборудовании и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Data io | I/O0-I/O15 |
| Корпус | 44-Pin TSOP Type II |
| Интерфейс | TTL compatible |
| Без свинца | Да |
| Кол-во выводов | 44 |
| Access time | 55ns |
| Описание | 256K x 16 Low Voltage Ultra Low Power CMOS Static SRAM |
| Объем памяти | 4M-bit |
| Тип памяти | Asynchronous SRAM |
| Артикул | IS62WV25616BLL-55TLI |
| Data control | Upper Byte (UB) and Lower Byte (LB) |
| Производитель | ISSI |
| Организация | 256K x 16 |
| Код упаковки | T |
| Тип монтажа | SMD |
| Address inputs | A0-A17 |
| Control inputs | CS1, OE, WE, UB, LB |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.5V |
| Примечание | 256K x 16, 55ns, 3.3V |
| Входная емкость макс. | 8pF |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Раб. ток макс. | 40mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.0W |
| Industrial temperature | Да |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.2V |
| Макс. выходная емкость | 10pF |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Ном. напряжение питания | 3.3V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.2V |
| Standby current ttl max | 0.35mA |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Palette (палетта) |
| Standby current cmos max | 15µA |
| Standby current cmos typ | 3µA |
| Макс. ток утечки входа | 1µA |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Operating current 1mhz max | 15mA |
| Макс. ток утечки | 1µA |
| Описание (англ.) | SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 55ns |
Заметили ошибку в описании или параметрах?