Документация
Статическое ОЗУ питание 3.3В 1М-бит 128Kx8 55нс асинхронное
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
200 шт.
Норм. уп.: 1500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:200 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 210,93 |
| от 12 | 197,67 |
| от 23 | 186,86 |
| от 46 | 178,81 |
| от 91 | 172,82 |
Описание
ISSI выпускает асинхронную микросхему статической памяти (SRAM) объёмом 1 Мбит (128K x 8). Работает при напряжении 3,3 В, время доступа составляет 55 нс, корпус TSOP-32. Подходит для промышленной автоматики, телекоммуникационного и встраиваемого оборудования.
Технические характеристики
| Плотность | 1M-bit |
| Корпус | TSOP-32 |
| Тип монтажа | SMD |
| Интерфейс | TTL compatible |
| Без свинца | Да |
| Operation | Fully static, no clock or refresh required |
| Кол-во выводов | 32 |
| Access time | 55ns |
| Описание | 128K x 8 Low Voltage Ultra Low Power CMOS Static RAM |
| Тип памяти | Asynchronous SRAM |
| Тип выхода | Three-state |
| Артикул | IS62WV1288BLL-55TLI-TR |
| Организация | 128K x 8 |
| Oe to low z min | 5ns |
| Варианты корпуса | 32-pin TSOP Type I, 32-pin sTSOP Type I, 32-pin SOP, 36-pin mini BGA |
| Cs to high z max | 20ns |
| Oe to high z max | 20ns |
| Темп. диапазон | Industrial |
| Макс. напр. пит. | 3.6V |
| Мин. напр. пит. | 2.5V |
| Read cycle time min | 55ns |
| Automotive available | Да |
| Industrial available | Да |
| Output hold time min | 10ns |
| Примечание | 128K x 8, 55ns, 3.3V |
| Входная емкость макс. | 8pF |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.6V |
| Раб. ток макс. | 15mA |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.0W |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.2V |
| Макс. выходная емкость | 10pF |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Ном. напряжение питания | 3.3V |
| Address access time max | 55ns |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.2V |
| Standby current ttl max | 0.8mA |
| Макс. темп. хр. | +150°C |
| Мин. темп. хр. | -65°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Standby current cmos max | 10µA |
| Макс. ток утечки входа | ±1µA |
| Operating current typical | 10mA |
| Макс. раб. темп. | +85°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Макс. ток утечки | ±1µA |
| Chip enable access time max | 55ns |
| Standby current cmos typical | 5µA |
| Описание (англ.) | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 55ns |
| Output enable access time max | 25ns |
| Рабочая температура | Ind |
Заметили ошибку в описании или параметрах?