Документация
Микросхема IS62C1024AL-35QLI
У поставщика
У поставщиков
103 шт.
Норм. уп.: 84
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:103 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 84
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 397,67 |
| от 7 | 375,11 |
| от 13 | 356,73 |
| от 25 | 343,07 |
| от 49 | 332,90 |
Описание
IS62C1024AL-35QLI — это статическое ОЗУ (SRAM) от компании ISSI. Микросхема имеет организацию 128K x 8 бит и выполнена в корпусе SOP-32. Отличается низким энергопотреблением и временем доступа 35 нс, что делает её подходящей для встраиваемых систем, контроллеров и промышленной электроники, где требуется быстрая и надёжная память.
Технические характеристики
| Корпус | SOP-32 |
| Особенности | High-speed access time: 35, 45 ns, Low active power: 100 mW (typical), Low standby power: 20 µW (typical) CMOS standby, Output Enable (OE) and two Chip Enable (CE1 and CE2) inputs, Fully static operation: no clock or refresh required, TTL compatible inputs and outputs, Single 5V (±10%) power supply, Lead free available |
| Тип монтажа | SMD |
| Bit width | 8 |
| Word count | 131072 |
| Access time | 35ns |
| Описание | 128K x 8 Low Power CMOS Static RAM |
| Объем памяти | 128K x 8 |
| Тип памяти | CMOS Static RAM (SRAM) |
| Артикул | IS62C1024AL-35QLI |
| Производитель | Integrated Silicon Solution, Inc. |
| Oe access time | 10ns |
| Напряжение питания | 5V ± 10% |
| Ce1 access time | 35ns |
| Ce2 access time | 35ns |
| Read cycle time | 35ns |
| Output hold time | 3ns |
| Input pulse level | 0.6V to 2.4V |
| Temperature grade | Industrial |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C |
| Oe to low z output | 3ns |
| Address access time | 35ns |
| Ce1 to low z output | 3ns |
| Ce2 to low z output | 3ns |
| Ce to high z output | 10ns |
| Oe to high z output | 10ns |
| Active power typical | 100mW |
| Input rise fall time | 5ns |
| Примечание | 128K x 8, 35ns, 5V |
| Входная емкость макс. | 6pF |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Раб. ток макс. | 25mA |
| Макс. рабочее напряжение | 5.5V |
| Мин. раб. напр. | 4.5V |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1.0W |
| Standby power typical | 20µW |
| Вх. выс. напр. мин. | 2.2V |
| Макс. выходная емкость | 8pF |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Terminal voltage range | -0.5V to +7.0V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Output load capacitance | 100pF |
| Ttl standby current max | 1mA |
| Тип упаковки | Palette (палетта) |
| Cmos standby current max | 5µA |
| Dc output current low max | 20mA |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +125°C |
| Описание (англ.) | SRAM Chip Async Single 5V 1M-Bit 128K x 8 35ns |
| Dynamic operating current max | 30mA |
| Рабочая температура | Ind |
Заметили ошибку в описании или параметрах?