+7 (495) 204-13-84|sale@radiodetali.com|Пн–Пт 9:00–19:00
Москва, Хорошёвское шоссе, 43-В
IS61WV25616EDBLL-10TLI
Документация

Статическая память 4мБит 10нс 2.5-3.3В

Артикул:794352
У поставщика
ПроизводительISSI
У поставщиков
186 шт.
Норм. уп.: 135
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:186 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 135
Минимальная партия: 4 шт
Кол-во, шт.Цена, ₽
от 1329,53
от 8310,21
от 15294,46
от 30282,75
от 60274,03
Описание

Микросхема статической памяти SRAM от ISSI объёмом 4 Мбит (организация 256K x 16). Работает при напряжении от 2,5 до 3,3 В, время доступа — 10 нс, выполнена в корпусе TSOP44-II. Подходит для промышленной автоматики и встраиваемых систем, работающих в расширенном температурном диапазоне от -40 до +85 °C.

Технические характеристики
EccIndependent ECC for each byte, detect and correct one bit error per byte
Корпус44-pin TSOP-II
Тип монтажаSMD
Без свинцаAvailable
Кол-во выводов44
Access time10ns
Описание256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
Объем памяти4,194,304 bits
Тип памятиAsynchronous SRAM
Тип выходаThree state outputs
АртикулIS61WV25616EDBLL-10TLI
Byte controlUpper Byte (UB) and Lower Byte (LB) access
ПроизводительISSI
Организация262,144 words x 16 bits
Icc dynamic max30mA
Operating modesFully static operation, no clock or refresh required
Input leakage max1µA
Темп. диапазонIndustrial
Icc1 operating max20mA
Io capacitance max8pF
Output leakage max1µA
Макс. напр. пит.3.6V
Мин. напр. пит.2.4V
Active power typical85mW
Примечание256K x 16, 2.5/3.3V
Входная емкость макс.6pF
Вх. низ. напр. макс.0.8V
Макс. рассеиваемая мощность1.0W
Standby power typical7mW
Вх. выс. напр. мин.2.0V
Низ. напр. вых. макс.0.4V
Ном. напряжение питания3.3V
Мин. выходное высокое напряжение1.8V
Макс. темп. хр.+150°C
Мин. темп. хр.-65°C
Тип упаковкиPalette (палетта)
Макс. раб. темп.+85°C
Мин. раб. темп.-40°C
Описание (англ.)SRAM 4MBIT 10NS 44TSOP
Рабочая температура-40В°C ~ 85В°C
Частота, МГц100

Заметили ошибку в описании или параметрах?