Документация
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
4 шт.
Норм. уп.: 135
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:4 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 135
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 157,70 |
| от 9 | 155,37 |
| от 18 | 152,36 |
| от 36 | 148,21 |
| от 71 | 142,67 |
Описание
Микросхема статической памяти SRAM от ISSI. Работает при напряжении 3,3 В, имеет организацию 64K x 16 бит и время доступа 10 нс. Выполнена в корпусе TSOP-44. Применяется в промышленной автоматике и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Корпус | 44-pin TSOP-II |
| Тип монтажа | SMD |
| Без свинца | Да |
| Access time | 10ns |
| Объем памяти | 1Mbit |
| Тип памяти | SRAM |
| Артикул | IS61LV6416-10TL |
| Производитель | ISSI |
| Организация | 64K x 16 |
| Корпус | TSOP44-II |
| Напряжение питания | 3.3V |
| Вх. емкость | 6pF |
| Выходная емкость | 8pF |
| Дополнительные функции | Byte control (UB/LB), three-state outputs, fully static operation |
| Диапазон питания | 3.135V to 3.63V |
| Примечание | 64K х 16, 3,3V |
| Вх. ток утечки | ±2µA |
| Вх. низ. напр. макс. | 0.8V |
| Input low voltage min | -0.3V |
| Раб. ток макс. | 120mA |
| Input high voltage max | 3.6V |
| Вх. выс. напр. мин. | 2V |
| Ток утечки вых. | ±2µA |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.4V |
| Мин. выходное высокое напряжение | 2.4V |
| Standby current ttl max | 15mA |
| Тип упаковки | Tray (палетта) |
| Ac test load capacitance | 30pF |
| Standby current cmos max | 5mA |
| Operating current typical | 95mA |
| Standby current cmos typical | 0.5mA |
| Temperature range commercial | 0 to 70°C |
| Temperature range industrial | -40 to 85°C |
| Описание (англ.) | SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II |
| Рабочая температура | 0°C ~ 70°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?