Документация
Статическое ОЗУ 256Kбит 10нс 28SOJ
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
150 шт.
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:150 шт
Срок поставки: до недели
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 196,10 |
| от 13 | 183,62 |
| от 25 | 173,45 |
| от 49 | 165,89 |
| от 97 | 160,24 |
Описание
Микросхема статической памяти (SRAM) от ISSI объемом 256 Кбит. Время доступа составляет 10 нс, корпус — SOJ-28, рабочая температура от -40 до +85 °C. Подходит для применения в промышленной автоматике и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Корпус | 28-pin SOJ |
| Тип монтажа | SMD |
| Access time | 10ns |
| Объем памяти | 32K x 8 |
| Input leakage | ±1µA (commercial), ±2µA (industrial) |
| Диапазон напряжений | 3.3V +10%, -5% |
| Ce access time | 10ns |
| Ce to power up | 0ns |
| Data hold time | 0ns |
| Oe access time | 5ns |
| Output leakage | ±1µA (commercial), ±2µA (industrial) |
| Напряжение питания | 3.3V |
| Ce to write end | 8ns |
| Data setup time | 6.5ns |
| Read cycle time | 10ns |
| Ce to power down | 10ns |
| Output hold time | 2ns |
| Terminal voltage | -0.5V to +4.6V |
| Write cycle time | 10ns |
| Dc output current | ±20mA |
| Вх. емкость | 6pF |
| Input low voltage | -0.3V (min), 0.8V (max) |
| Input high voltage | 2.2V (min), Vdd+0.3V (max) |
| Выходная емкость | 5pF |
| Низкое выходное напряжение | 0.4V (max) |
| Address access time | 10ns |
| Высокое вых. напр. | 2.4V (min) |
| Standby current ttl | 1mA (max) |
| Standby current cmos | 2µA (typ), 40µA (max) |
| Макс. рассеиваемая мощность | 1W |
| We high to low z output | 0ns |
| We low to high z output | 3.5ns |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Operating supply current | 20mA (typ), 30mA (max) at fmax |
| Write pulse width oe low | 10ns |
| Power dissipation standby | 60µW (typical CMOS standby) |
| Диап. темп. хр. | -65°C to +150°C |
| Write pulse width oe high | 7ns |
| Макс. напряжение питания | 4.6V |
| Диап. раб. темп. | 0°C to +70°C (commercial), -40°C to +85°C (industrial) |
| Power dissipation operating | 65mW (typical) |
| Описание (англ.) | SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ |
| Address setup time to write end | 8ns |
| Address hold time from write end | 0ns |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?