Документация
Инфракрасный приемник (детектор света), 940нм, 4.5-16В, встроенная схема обработки сигнала
У поставщика
У поставщиков
505 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:505 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 237,43 |
| от 11 | 222,79 |
| от 21 | 210,84 |
| от 41 | 201,96 |
| от 81 | 195,35 |
Описание
Sharp IS471FE — инфракрасный приемник (детектор света) с рабочей длиной волны 940 нм. Устройство рассчитано на питание 4,5–16 В и оснащено встроенной схемой обработки сигнала для упрощения интеграции. Применяется в системах автоматического управления освещением, охранной сигнализации и промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | DIP |
| Особенности | NON-CONTACT SWITCHING, FOR DIRECT PC BOARD OR DUAL-IN-LINE SOCKET MOUNTING, FAST SWITCHING SPEED |
| Тип монтажа | Выводной |
| Описание | Non-contact optical switch (IR diode + phototransistor) |
| Артикул | LTH-301-07 |
| Производитель | LITE-ON TECHNOLOGY CORPORATION |
| Макс. время спада | 20us |
| Тип. время спада | 4us |
| Макс. время нарастания | 15us |
| Тип. время нарастания | 3us |
| Температура окружающей среды | 25C |
| Diode power dissipation | 100mW |
| Led forward voltage min | 1.2V |
| Led forward voltage typ | 1.6V |
| Led reverse current max | 100uA |
| Тип упаковки | Bulk (россыпь) |
| Ir diode reverse voltage | 5V |
| Lead soldering conditions | 1.6mm from case |
| Диап. темп. хр. | -40C to +100C |
| Температура пайки выводов | 260C for 5 Seconds |
| Диап. раб. темп. | -25C to +85C |
| Response time test condition | VCE=5V, IC=2mA, RL=100ohm |
| Transistor collector current | 20mA |
| Transistor power dissipation | 75mW |
| Описание (англ.) | Optic Light Detector 4-Pin |
| Ir diode peak forward current | 1A |
| On state collector current min | 0.6mA |
| Collector emitter dark current max | 100nA |
| Led forward voltage test condition | IF = 20mA |
| Led reverse current test condition | VR=5V |
| Ir diode continuous forward current | 60mA |
| Мин. напряжение пробоя коллектор-эмиттер | 30V |
| Emitter collector breakdown voltage min | 5V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер макс. | 0.4V |
| Ir diode peak forward current conditions | Pulse Width = 10us, 300pps |
| On state collector current test condition | VCE=5V, IF=20mA |
| Phototransistor collector emitter voltage | 30V |
| Phototransistor emitter collector voltage | 5V |
| Collector emitter dark current test condition | VCE=10V |
| Collector emitter breakdown voltage test condition | IC=1mA |
| Emitter collector breakdown voltage test condition | IE=100uA |
| Collector emitter saturation voltage test condition | IC=0.25mA, IF=20mA |
Заметили ошибку в описании или параметрах?