Документация
Динамическое-статическое ОЗУ 16Мбит 50нс 44TSOP
У поставщика
ПроизводительISSI
КатегорияМикросхемы памяти
У поставщиков
83 шт.
Норм. уп.: 117
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:83 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 117
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 122,77 |
| от 3 | 121,00 |
| от 6 | 118,60 |
| от 12 | 115,51 |
| от 23 | 111,54 |
Описание
ISSI выпускает микросхему динамического ОЗУ (DRAM) объемом 16 Мбит. Время доступа составляет 50 нс, компонент выполнен в корпусе 44-TSOP2 и рассчитан на промышленный диапазон температур от -40 до +85 °C. Подходит для применения в промышленной автоматике и встраиваемых системах.
Технические характеристики
| Плотность | 16Mb |
| Корпус | 44-pin TSOP Type II |
| Refresh | 1,024 cycles /16ms auto, 1,024 cycles /128ms self |
| Особенности | EDO Page Mode, Byte Write/Read, Self Refresh |
| Тип монтажа | SMD |
| Интерфейс | TTL compatible |
| Тип выхода | Tristate |
| Артикул | IS41LV16100C-50KLI |
| Класс скорости | -50 |
| Организация | 1M x 16 |
| Выводы корпуса | 44 |
| Тип упаковки | TSOP |
| Корпус | 44-TSOP2 (10.2x18.4) |
| Напряжение питания | 3.3V ±10% |
| Cas access time | 14ns |
| Ras access time | 50ns |
| Макс. температура | 85 |
| Температура мин. | -40 |
| Темп. диапазон | -40°C to +85°C |
| Макс. напр. пит. | 3.63V |
| Мин. напр. пит. | 2.97V |
| Read write cycle time | 85ns |
| Тип упаковки | Tray (палетта) |
| Edo page mode cycle time | 30ns |
| Column address access time | 25ns |
| Описание (англ.) | DRAM 16MBIT 50NS 44TSOP |
| Рабочая температура | -40В°C ~ 85В°C |
Заметили ошибку в описании или параметрах?