Документация
Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияМикросхемы
У поставщиков
357 шт.
Норм. уп.: 10
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:330 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 10
Минимальная партия: 100 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 303,06 |
| от 10 | 303,06 |
Склад 13
В наличии:27 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 95
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 220,09 |
| от 12 | 206,24 |
| от 23 | 194,95 |
| от 46 | 186,55 |
| от 95 | 180,29 |
Описание
Драйвер верхнего и нижнего плеча IRS2011SPBF от Infineon предназначен для управления силовыми ключами в импульсных источниках питания. Микросхема рассчитана на напряжение до 200 В и выходной ток 1 А, выпускается в компактном корпусе SOIC8 и работает в широком диапазоне температур от -40 до +125 °C. Применяется в промышленной автоматике и силовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | high_and_low_side_gate_driver |
| Корпус | SOIC-8 |
| Тип монтажа | SMD |
| Кол-во выводов | 8 |
| Тип входа | CMOS Schmitt-triggered with pull-down |
| Описание | High and Low Side Driver |
| Артикул | IRS2011SPBF |
| Макс. напряжение | 200V |
| Конфигурация | High and Low Side |
| Макс. время спада | 35ns |
| Тип. время спада | 15ns |
| Макс. время нарастания | 40ns |
| Тип. время нарастания | 25ns |
| DV dt immunity | 50V/ns |
| Allowable dv dt | 50 V/ns |
| Delay matching max | 20ns |
| Gate drive voltage | 10V to 20V |
| Output current typ | 1.0A / 1.0A |
| Макс. напр. пит. | 20V |
| Мин. напр. пит. | 10V |
| Logic compatibility | 3.3V and 5V |
| Logic input low max | 0.7V |
| Пиковый выходной ток | 1.0A |
| Logic input high min | 2.5V |
| Диапазон питания | 10V to 20V |
| Delay matching on max | 20ns |
| Макс. рассеиваемая мощность | 0.625W |
| Макс. задержка распространения | 80ns |
| Propagation delay typ | 60ns |
| Тепловое сопротивление JA | 200°C/W |
| Delay matching off max | 20ns |
| Низ. напр. вых. макс. | 0.1V |
| Макс. темп. окр. среды | 125°C |
| Темп. окружающей среды мин. | -40°C |
| Power dissipation soic8 | 0.625W |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Output current peak sink | 1.0A |
| Quiescent current bs max | 210µA |
| Quiescent current bs typ | 120µA |
| Quiescent current cc max | 300µA |
| Quiescent current cc typ | 200µA |
| Offset supply leakage max | 50μA |
| Макс. раб. темп. | 125°C |
| Мин. раб. темп. | -40°C |
| Propagation delay ton max | 80ns |
| Propagation delay ton typ | 60ns |
| Input bias current low max | 5µA |
| Offset leakage current max | 50µA |
| Output current peak source | 1.0A |
| Propagation delay toff max | 80ns |
| Propagation delay toff typ | 60ns |
| Floating supply voltage max | 200V |
| Input bias current high max | 10µA |
| Input bias current high typ | 3µA |
| Output high voltage drop max | 1.4V |
| Описание (англ.) | Driver 200V 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC Tube |
| Undervoltage lockout threshold neg | 7.5V to 8.9V |
| Undervoltage lockout threshold pos | 8.3V to 9.7V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 125°C |
| Thermal resistance junction ambient soic8 | 200°C/W |
| Undervoltage lockout negative threshold max | 8.9V |
| Undervoltage lockout negative threshold min | 7.5V |
| Undervoltage lockout negative threshold typ | 8.2V |
| Undervoltage lockout positive threshold max | 9.7V |
| Undervoltage lockout positive threshold min | 8.3V |
| Undervoltage lockout positive threshold typ | 9.0V |
Заметили ошибку в описании или параметрах?