Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 100В 190A D2PAK-7
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
409 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:409 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 466,72 |
| от 4 | 461,16 |
| от 7 | 454,25 |
| от 14 | 445,07 |
| от 27 | 432,27 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канального типа от Infineon. Работает при напряжении до 100 В и токе до 190 А, выпускается в корпусе D2PAK-7 (TO-263-7). Подходит для мощных импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | D2PAK-7 |
| Benefits | Optimized for Logic Level Drive, Very Low RDS(ON) at 4.5V VGS, Superior R*Q at 4.5V VGS, Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness, Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA, Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability, Lead-Free |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 87ns typ |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 160ns typ |
| Применение | DC Motor Drive, High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, Uninterruptible Power Supply, High Speed Power Switching, Hard Switched and High Frequency Circuits |
| Момент затяжки | 10lb·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | See Fig. 14, 15, 22a, 22b |
| Заряд сток-затвор | 43nC typ |
| Вх. емкость | 11490pF typ |
| Полный заряд затвора | 93nC typ, 140nC max |
| Заряд затвор-исток | 27nC typ |
| Выходная емкость | 680pF typ |
| Время задержки включения | 53ns typ |
| Время задержки выключения | 110ns typ |
| Напр. диода | 1.3V max |
| Время обратного восстановления | 53ns typ at 25°C, 63ns typ at 125°C |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds |
| Gate threshold voltage | 1.0V min, 2.5V max |
| Коэффициент снижения мощности | 2.5W/°C |
| Total gate charge sync | 50nC typ |
| Заряд обратного восстановления | 99nC typ at 25°C, 155nC typ at 125°C |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 250S min |
| Internal gate resistance | 2.0Ω typ |
| Pulsed drain current idm | 750A |
| Reverse recovery current | 3.3A typ at 25°C |
| Maximum power dissipation | 370W |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 13V/ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA max |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA max |
| Gate source voltage vgs max | ±16V |
| Drain source leakage current | 20µA max at 25°C, 250µA max at 125°C |
| Drain source voltage vds max | 100V |
| Обратная проходная емкость | 300pF typ |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 |
| Энергия одиноч. импульса | 320mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 100V |
| Continuous drain current id 25c | 190A |
| Continuous drain current id 100c | 130A |
| Pulsed source current body diode | 750A |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.10V/°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.40°C/W |
| Continuous source current body diode | 190A |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Термосопротивление переход-среда | 40°C/W |
| Effective output capacitance time related | 1170pF typ |
| Static drain source on resistance vgs 10v | 3.2mΩ typ, 3.9mΩ max |
| Static drain source on resistance vgs 4 5v | 3.3mΩ typ, 4.1mΩ max |
| Effective output capacitance energy related | 760pF typ |
Заметили ошибку в описании или параметрах?