Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 40В 343А 375Вт
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
204 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:204 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 401,18 |
| от 3 | 395,52 |
| от 5 | 388,09 |
| от 9 | 377,26 |
| от 17 | 359,49 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный MOSFET от Infineon. Работает при напряжении до 40 В, выдерживает ток до 343 А и мощность 375 Вт. Выполнен в корпусе D2Pak (TO-263) для поверхностного монтажа. Подходит для мощных импульсных источников питания и силовой электроники.
Технические характеристики
| Корпус | D2Pak (TO-262) |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 355ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 827ns |
| Технология | HEXFET Power MOSFET |
| Момент затяжки | 10lbf·in (1.1N·m) |
| Лавинный ток | 195A |
| Вх. емкость | 10315pF |
| Logic level drive | Optimized for Logic Level Drive |
| Полный заряд затвора | 108nC typ, 162nC max |
| Выходная емкость | 1980pF |
| Время задержки включения | 65ns |
| Время задержки выключения | 97ns |
| Импульсный ток стока | 1372A |
| Напр. диода | 1.3V |
| Gate to source charge | 29nC |
| Макс. рас. мощн. | 375W |
| Коэффициент снижения мощности | 2.5W/°C |
| Total gate charge sync | 54nC |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Макс. напряжение сток-исток | 40V |
| Прямая крутизна | 286S |
| Internal gate resistance | 2.1Ω |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 4.6V/ns |
| Reverse recovery time 25c | 39ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Reverse recovery time 125c | 41ns |
| Gate to drain miller charge | 54nC |
| Reverse recovery charge 25c | 39nC |
| Reverse recovery charge 125c | 46nC |
| Reverse recovery current 25c | 1.7A |
| Обратная проходная емкость | 935pF |
| Описание (англ.) | MOSFET N-CH 40V 343A, 375W |
| Энергия одиноч. импульса | 255mJ |
| Gate to source leakage forward | 100nA @ VGS=20V |
| Gate to source leakage reverse | -100nA @ VGS=-20V |
| Drain to source leakage current | 20µA @ VDS=40V, VGS=0V; 250µA @ TJ=125°C |
| Pulsed source current body diode | 1372A |
| Drain to source breakdown voltage | 40V |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.04V/°C |
| Макс. темп. перехода | 175°C |
| Мин. темп. перехода | -55°C |
| Тепл. сопр. переход-корпус | 0.4°C/W |
| Continuous source current body diode | 343A |
| Soldering temperature for 10 seconds | 300°C |
| Effective output capacitance time related | 2986pF |
| Effective output capacitance energy related | 2378pF |
| Continuous drain current package limited 25c | 195A |
| Continuous drain current silicon limited 25c | 343A |
| Static drain to source on resistance vgs 10v | 1.4mΩ typ, 1.7mΩ max |
| Continuous drain current silicon limited 100c | 243A |
| Static drain to source on resistance vgs 4.5v | 1.6mΩ typ, 2.0mΩ max |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?