Документация
ТРАНЗИСТОРЫ IRLS3034TRL7PP, Транзистор полевой N-канальный Infineon Technologies, 40В, 240A, корпус TO-263-7
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
151 шт.
Норм. уп.: 800
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:151 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 800
Минимальная партия: 4 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 185,45 |
| от 14 | 173,44 |
| от 27 | 163,66 |
| от 54 | 156,38 |
| от 107 | 150,95 |
Описание
Транзистор полевой N-канальный от Infineon Technologies, выполненный в корпусе TO-263-7. Компонент рассчитан на работу с напряжением до 40 В и током до 240 А, что делает его подходящим для силовых цепей. Применяется в высокопроизводительных источниках питания, DC/DC-преобразователях и системах управления моторами.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 195 А |
| Корпус | TO-263-7 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 200ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 590ns |
| Описание | HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRLS3034-7PPbF |
| Тип транзистора | N-Channel MOSFET |
| Мощность, Вт | 375 |
| Вх. емкость | 10990pF |
| Заряд затвор-исток | 32nC |
| Выходная емкость | 2030pF |
| Время задержки включения | 71ns |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Время задержки выключения | 94ns |
| Напряжение сток-исток | 40V |
| Импульсный ток стока | 1540A |
| Напряжение, В | 40 В |
| Мощн. рас. 25°C | 380W |
| Температура пайки | 300°C for 10 seconds (1.6mm from case) |
| Заряд затвора макс. | 180nC |
| Тип. заряд затвора | 120nC |
| Коэффициент снижения мощности | 2.5W/°C |
| Total gate charge sync | 49nC |
| Прямая крутизна | 370S |
| Gate drain miller charge | 71nC |
| Internal gate resistance | 1.9Ω |
| Reverse recovery current | 3.7A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| Пиковое dv/dt восстановления диода | 1.3V/ns |
| Reverse recovery time 25c | 46ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Reverse recovery time 125c | 49ns |
| Reverse recovery charge 25c | 100nC |
| Reverse recovery charge 125c | 110nC |
| Обратная проходная емкость | 1100pF |
| Энергия одиноч. импульса | 250mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 40V |
| Макс. Rси вкл. | 1.4mΩ |
| Drain source on resistance typ | 1.0mΩ |
| Рабочая температура перехода | -55 to +175°C |
| Gate source forward leakage max | 100nA |
| Gate source reverse leakage max | -100nA |
| Drain source leakage current max | 20µA |
| Pulsed source current body diode | 1540A |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.035V/°C |
| Continuous source current body diode | 380A |
| Drain source leakage current 125c max | 250µA |
| Junction to case thermal resistance max | 0.40°C/W |
| Effective output capacitance time related | 3060pF |
| Junction to ambient thermal resistance max | 40°C/W |
| Effective output capacitance energy related | 2520pF |
| Continuous drain current silicon limited 25c | 380A |
| Continuous drain current silicon limited 100c | 270A |
| Continuous drain current wire bond limited 25c | 240A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?