Документация
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 30В 43А
У поставщика
ПроизводительInfineon
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
3 шт.
Норм. уп.: 75
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:3 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 75
Минимальная партия: 6 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 70,00 |
| от 19 | 68,66 |
| от 38 | 66,84 |
| от 75 | 64,31 |
| от 150 | 61,24 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET N-канальный от Infineon. Работает при напряжении до 30 В и токе до 43 А, выпускается в компактном корпусе DPAK/TO-252AA. Подходит для импульсных источников питания и цепей управления нагрузкой в промышленной автоматике.
Технические характеристики
| Корпус | D-Pak (TO-252AA), I-Pak (TO-251AA) |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | N-Channel |
| Время спада | 3.5ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 28ns |
| Технология | HEXFET |
| Применение | High Frequency Synchronous Buck Converters for Computer Processor Power |
| Output charge | 4.0nC |
| Switch charge | 3.4nC |
| Темп. пайки | 300°C for 10s |
| Лавинный ток | 12A |
| Заряд сток-затвор | 2.7nC |
| Вх. емкость | 780pF |
| Полный заряд затвора | 7.0nC |
| Выходная емкость | 180pF |
| Диапазон температур хранения | -55 to +175°C |
| Время задержки включения | 7.1ns |
| Время задержки выключения | 9.8ns |
| Импульсный ток стока | 170A |
| Напр. диода | 1.0V |
| Gate charge overdrive | 1.8nC |
| Pulsed source current | 170A |
| Время обратного восстановления | 23ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.27W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 14nC |
| Тип упаковки | Tube (туба) |
| Макс. напряжение сток-исток | 30V |
| Прямая крутизна | 51S |
| Continuous source current | 43A |
| Max power dissipation 25c | 40W |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.25V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.35V |
| Тип. пороговое Uзи | 1.8V |
| Max power dissipation 100c | 20W |
| Pre vth gate source charge | 1.8nC |
| Прямой ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Post vth gate source charge | 0.7nC |
| Энергия лавины | 4.0mJ |
| Длительный ток стока 25°C | 43A |
| Drain source leakage current | 1.0µA |
| Обратная проходная емкость | 100pF |
| Описание (англ.) | Field-effect transistor, N-channel, 30V 43A |
| Непрерывный ток стока 100°C | 30A |
| Operating junction temp range | -55 to +175°C |
| Энергия одиноч. импульса | 28mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | 30V |
| Тепловое сопр. переход-корпус | 3.75°C/W |
| Drain source leakage current 125c | 150µA |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 23mV/°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 110°C/W |
| Static drain source on resistance 10v | 13.8mΩ |
| Static drain source on resistance 4.5v | 18.2mΩ |
| Gate threshold voltage temp coefficient | -4.5mV/°C |
| Thermal resistance junction ambient pcb | 50°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?