Документация
IRLR3110ZPBF, DPAK/TO-252AA
У поставщика
ПроизводительInfineon
У поставщиков
3 шт.
Норм. уп.: 50
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:3 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 50
Минимальная партия: 300 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 207,00 |
| от 50 | 94,31 |
Описание
МОП-транзистор IRLR3110ZPBF от Infineon в корпусе DPAK/TO-252AA для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до 100 В, импульсный ток до 250 А и рассеивает до 140 Вт мощности. Подходит для импульсных источников питания и силовых цепей промышленной автоматики.
Технические характеристики
| Корпус | DPAK/TO-252AA |
| Тип монтажа | SMD |
| Voltage dss | 100V |
| Корпус | DPAK(TO-252AA) |
| Тип. время спада | 48ns |
| Тип. время нарастания | 110ns |
| Current pulsed | 250A |
| Момент затяжки | 10 lbf·in (1.1 N·m) |
| Описание | MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC |
| Рассеиваемая мощность | 140W |
| Turn on delay typ | 24ns |
| Turn off delay typ | 33ns |
| Мин. пробойное напр. | 100V |
| Тип. заряд затвор-сток | 15nC |
| Тип. входная емкость | 3980pF |
| Pulsed source current | 250A |
| Заряд затвора макс. | 48nC |
| Тип. заряд затвора | 34nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 10nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.95 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 310pF |
| Avalanche energy tested | 140mJ |
| Current continuous 100c | 45A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±16V |
| On resistance vgs10v max | 14mΩ |
| On resistance vgs10v typ | 11mΩ |
| Continuous source current | 63A |
| Напр. диода макс. | 1.3V |
| On resistance vgs4 5v max | 16mΩ |
| On resistance vgs4 5v typ | 12mΩ |
| Макс. время обрат. восстановления | 51ns |
| Тип. время восст. | 34ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +175°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.0V |
| Reverse recovery charge max | 63nC |
| Тип. заряд восст. | 42nC |
| Forward transconductance typ | 52S |
| Output capacitance vds1v typ | 1820pF |
| Reflow soldering temperature | 300°C for 10s |
| Внутр. индуктивность стока | 4.5nH |
| Output capacitance vds80v typ | 170pF |
| Current continuous package 25c | 42A |
| Current continuous silicon 25c | 63A |
| Internal source inductance typ | 7.5nH |
| Avalanche energy thermal limited | 110mJ |
| Effective output capacitance typ | 320pF |
| Обр. проходная емкость тип. | 130pF |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +175°C |
| Термосопротивление переход-среда | 110 °C/W |
| Макс. тепловое сопротивление переход-корпус | 1.05 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient pcb mount | 40 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?