Документация
Транзистор IRLR2905TRPBF
У поставщика
У поставщиков
2 833 шт.
Норм. уп.: 2000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:2 833 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 2000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 46,14 |
| от 140 | 42,94 |
| от 279 | 40,79 |
| от 558 | 38,90 |
| от 1 116 | 37,64 |
Описание
Транзистор MOSFET от Infineon с управлением от логических уровней. Работает при напряжении до 55 В, имеет сверхнизкое сопротивление открытого канала 0,027 Ом и выдерживает импульсный ток до 160 А. Корпус D-Pak (TO-252AA) подходит для поверхностного монтажа. Применяется в промышленной автоматике, источниках питания и силовых ключах.
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток | 55V |
| Td(вкл) | 11ns |
| Сопротивление сток-исток | 0.027Ω |
| Td(выкл) | 26ns |
| Корпус | D-Pak (TO-252AA) / I-Pak (TO-251AA) |
| Vbr dss | 55V |
| Макс. Vgs | ±16V |
| Особенности | Logic-Level Gate Drive, Ultra Low On-Resistance, Surface Mount (IRLR2905), Straight Lead (IRLU2905), Advanced Process Technology, Fast Switching, Fully Avalanche Rated, Lead-Free |
| Idss 25c | 25µA |
| Макс. Tstg | 175°C |
| Мин. Tstg | -55°C |
| Idss 150c | 250µA |
| Без свинца | Да |
| Rtheta ja | 110°C/W |
| Rtheta jc | 1.4°C/W |
| Idm импульсный | 160A |
| Pd макс. 25°C | 110W |
| Описание | Logic-Level Gate Drive Ultra Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET |
| Тип устройства | MOSFET |
| Артикул | IRLR2905PbF |
| Производитель | International Rectifier |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 84ns |
| Iar avalanche | 25A |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Rtheta ja pcb | 50°C/W |
| EAR повторяющийся | 11mJ |
| Одиночный импульс EAS | 210mJ |
| Макс. температура перехода | 175°C |
| Tj operating min | -55°C |
| Ток стока непрерывный 25C | 42A |
| Qgd miller charge | 25nC |
| Макс. пороговое Vgs | 2.0V |
| Мин. пороговое Vgs | 1.0V |
| Непрерывный ток 100°C | 30A |
| Макс. темп. пайки | 300°C |
| Igss forward leakage | 100nA |
| Igss reverse leakage | -100nA |
| Полный заряд затвора Qg | 48nC |
| Входная емкость Ciss | 1700pF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.71W/°C |
| Заряд затвор-исток Qgs | 8.6nC |
| Выходная емкость Coss | 400pF |
| Dvdt peak diode recovery | 5.0V/ns |
| Vbr dss temp coefficient | 0.070V/°C |
| Ism pulsed source current | 160A |
| Время обратного восстановления | 80-120ns |
| Vsd diode forward voltage | 1.3V |
| Заряд обратного восстановления | 210-320nC |
| Крутизна | 21S |
| Is continuous source current | 42A |
| Ld internal drain inductance | 4.5nH |
| Ls internal source inductance | 7.5nH |
| Обр. проходная емкость Crss | 150pF |