Документация
Транзистор IRLML9303TRPBF
Нет в наличии
Описание
Транзистор IRLML9303TRPBF от Infineon представляет собой P-канальный MOSFET, выполненный в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент оптимизирован для работы с низким напряжением затвора, что позволяет управлять им напрямую от логических уровней микроконтроллеров. Применяется в схемах коммутации нагрузки, управления питанием портативных устройств и в цепях защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Ток | 2.3 А |
| Полярность | P-channel |
| Время спада | 8.6 ns |
| Время нарастания | 14 ns |
| Уровень MSL | MSL1 |
| Технология | HEXFET |
| Артикул | IRLML9303TRPbF |
| Тип упаковки | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Тип монтажа | SMD |
| Соотв. RoHS | Да |
| Мощность | 1.25 Вт |
| Заряд сток-затвор | 1.2 nC |
| Вх. емкость | 160 pF |
| Полный заряд затвора | 2.0 nC |
| Заряд затвор-исток | 0.57 nC |
| Выходная емкость | 39 pF |
| Время задержки включения | 7.5 ns |
| Время задержки выключения | 9.0 ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| On resistance at 10v | 165 mΩ |
| Импульсный ток стока | -12A |
| Напряжение | 30 В |
| On resistance at 4 5v | 270 mΩ |
| Мощн. рас. 25°C | 1.25W |
| Power dissipation 70c | 0.80W |
| Время обратного восстановления | 12 ns |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 5.3 nC |
| Прямая крутизна | 2.3 S |
| Internal gate resistance | 21 Ω |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.3V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150 °C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100 nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100 nA |
| Source drain pulsed current | -12A |
| Длительный ток стока 25°C | -2.3A |
| Continuous drain current 70c | -1.8A |
| Drain source leakage current | 1.0 µA |
| Обратная проходная емкость | 25 pF |
| Source drain forward voltage | -1.2V |
| Source drain continuous current | -1.3A |
| Drain source leakage current 125c | 150 µA |
| Термосопротивление переход-среда | 100 °C/W |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -3.7 mV/°C |
| Thermal resistance junction to ambient short | 99 °C/W (t<10s) |