Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.3А 1.25Вт
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
38 990 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:29 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,18 |
| от 3 000 | 3,00 |
| от 30 000 | 2,98 |
Склад 13
В наличии:9 990 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 138 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,00 |
| от 209 | 4,51 |
| от 418 | 4,05 |
| от 835 | 3,66 |
| от 1 670 | 3,38 |
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от HOTTECH. Компонент рассчитан на напряжение -30 В, ток 2.3 А и мощность 1.25 Вт, выполнен в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и цепях защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Тип | P-channel MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML9303 |
| Время спада | 7.7ns |
| Время нарастания | 13ns |
| Размеры | Ширина корпуса: 1.2-1.4mm; Шаг выводов: 0.95mm; Высота корпуса: 0.9-1.15mm; Длина корпуса: 2.8-3.0mm |
| Корпус | SOT-23 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL94V-0 |
| Gate resistance | 7.8Ω typical (4-12Ω) |
| Заряд сток-затвор | 1.8nC |
| Вх. емкость | 340pF |
| Полный заряд затвора | 4nC |
| Заряд затвор-исток | 1.3nC |
| Выходная емкость | 67pF |
| Время задержки включения | 5.5ns |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Напр. диода | 0.8V to 1.2V |
| On resistance vgs 10v | 67mΩ typical, 87mΩ max |
| Мощн. рас. 25°C | 1.25W |
| Power dissipation 70c | 0.9W |
| Время обратного восстановления | 11ns |
| Gate threshold voltage | -1.0V to -3.0V |
| On resistance vgs 4 5v | 100mΩ typical, 130mΩ max |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 3.5nC |
| Тип упаковки | Tape and Reel (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 10S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Continuous source current | 1.37A |
| Gate body leakage current | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Длительный ток стока 25°C | 4A |
| Continuous drain current 70c | 2A |
| Обратная проходная емкость | 51pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Gate threshold voltage typical | -1.9V |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |