Документация
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 30В 2.3А 1.25Вт
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
54 570 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт5,18 ₽
Сумма518,00 ₽
В наличии3 580 шт
от 100 штюрлицам и ИП
от 750 — 4,28 ₽ (−17%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии21 990 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
продаётся от 200 штпри 200 — 6,65 ₽
100 шт · Склад 39 · 518,00 ₽
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный от HOTTECH. Компонент рассчитан на напряжение -30 В, ток 2.3 А и мощность 1.25 Вт, выполнен в корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Подходит для коммутации нагрузок в портативных устройствах и цепях защиты от переполюсовки.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML9303 |
| Время спада | 7.7ns |
| Время нарастания | 13ns |
| Размеры | Ширина корпуса: 1.2-1.4mm; Шаг выводов: 0.95mm; Высота корпуса: 0.9-1.15mm; Длина корпуса: 2.8-3.0mm |
| Описание | LOW VOLTAGE MOSFET (P-CHANNEL) |
| Артикул | IRLML9303 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL94V-0 |
| Сопротивление затвора | 7.8Ω typical (4-12Ω) |
| Размеры a макс. | 1.150mm |
| Мин. размер A | 0.900mm |
| Размеры b макс. | 0.500mm |
| Размер B мин. | 0.300mm |
| Размеры c макс. | 0.150mm |
| Размер C мин. | 0.080mm |
| Макс. размер D | 3.000mm |
| Мин. размер D | 2.800mm |
| Размер E макс | 1.400mm |
| Размер E мин | 1.200mm |
| Размер e тип. | 0.950mm |
| Размер l справочный | 0.550mm |
| Размер A1 макс | 0.100mm |
| Размер A1 мин | 0.000mm |
| Размер A2 макс | 1.050mm |
| Размер A2 мин | 0.900mm |
| Размер E1 макс | 2.550mm |
| Размер E1 мин | 2.250mm |
| Размер l1 макс. | 0.500mm |
| Размер l1 мин. | 0.300mm |
| Заряд сток-затвор | 1.8nC |
| Вх. емкость | 340pF |
| Полный заряд затвора | 4nC |
| Время нарастания | 13nS |
| Заряд затвор-исток | 1.3nC |
| Выходная емкость | 67pF |
| Время спада | 7.7nS |
| Время задержки включения | 5.5ns |
| Структура | P-канал |
| Сопротивление затвора, макс. | 12Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 4Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 7.8Ω |
| Напряжение затвор-исток | ±20V |
| Темп. хранения | -55~+150°C |
| Время задержки выключения | 17ns |
| Угол наклона выводов макс | 8° |
| Угол наклона выводов мин | 0° |
| Напряжение сток-исток | -30V |
| Темп. перехода | 150°C |
| Импульсный ток стока | 12A |
| Прямой ток диода | -1.37A |
| Напр. диода | 0.8V to 1.2V |
| Сопротивление открытия, VGS 10 В | 67mΩ typical, 87mΩ max |
| Мощн. рас. 25°C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.9W |
| Время обратного восстановления | 11ns |
| Пороговое напряжение затвора | -1.0V to -3.0V |
| Сопротивление во включённом состоянии при Vgs 4,5 В | 100mΩ typical, 130mΩ max |
| Ток стока во включенном состоянии | -27A |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.25W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.9W |
| Dimensions e1 pitch max | 2.000mm |
| Dimensions e1 pitch min | 1.800mm |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Заряд обратного восстановления | 3.5nC |
| Тип упаковки | Лента и катушка (лента в катушке) |
| Прямая крутизна | 10S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Длительный ток истока | 1.37A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Diode forward voltage min | -0.8V |
| Ток утечки затвор-подложка | ±100nA |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -3.0V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.9V |
| Длительный ток стока 25°C | 4A |
| Непрерывный ток стока, 70 °C | 2A |
| Обратная проходная емкость | 51pF |
| Описание (англ.) | MOSFET P-CH 30V 2.3A SOT-23-3 |
| Непрерывный ток стока, Ta 25 °C | -4A |
| Непрерывный ток стока, Ta 70 °C | -2A |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Gate threshold voltage typical | -1.9V |
| Ток стока при нулевом напряжении затвора | -1µA |
| Время обратного восстановления диода | 11nS |
| Заряд обратного восстановления диода | 3.5nC |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Drain source on resistance vgs10 max | 87mΩ |
| Drain source on resistance vgs10 typ | 67mΩ |
| Drain source on resistance vgs4 5 max | 130mΩ |
| Drain source on resistance vgs4 5 typ | 100mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?