Документация
IRLML9301TRPBF (YJL3407A) SOT-23 MOSFET транзистор YANGJIE (арт. 281553)
У поставщика
ПроизводительYangjie
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
12 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:12 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,60 |
Описание
Полевой MOSFET-транзистор YANGJIE в корпусе SOT-23. Модель IRLML9301TRPBF (аналог YJL3407A) представляет собой P-канальный ключ с низким сопротивлением открытого канала. Применяется для коммутации нагрузок, управления питанием и в цепях защиты от переполюсовки в компактных электронных устройствах.
Технические характеристики
| Tf | 10ns |
| Tr | 61ns |
| Заряд затвор-сток | 1.4nC |
| Заряд затвор-исток | 1.0nC |
| Ciss | 580pF |
| Coss | 98pF |
| Crss | 74pF |
| IGSS | ±100nA max |
| RoHS | Соответствует |
| Тип | P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| Td(вкл) | 14ns |
| Td(выкл) | 19ns |
| Тип | MOSFET |
| Aliases | IRLML9301TRPBF |
| Маркировка | 3407 |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Idss 25c | -1μA max |
| Тип монтажа | SMD |
| Qg total | 6.8nC |
| Ток стока импульсный | -15A |
| Pd макс. 25°C | 1.2W |
| Технология | Trench Power LV MOSFET |
| Vgs порог макс. | -2.4V |
| Vgs порог мин. | -1.0V |
| Vgs(th) тип. | -1.5V |
| Артикул | YJL3407A |
| Производитель | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Vgd breakdown | -30V |
| Соотв. RoHS | Да |
| Equivalent part | IRLML9301TRPBF |
| Заряд сток-затвор | 1.4nC |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.1A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.2A |
| Вх. емкость | 580pF |
| Рассеиваемая мощность | 1.2W |
| Rds on vgs neg10v | 55mΩ max (40mΩ typ) |
| Полный заряд затвора | 6.8nC |
| Время нарастания | 61ns |
| Заряд затвор-исток | 1.0nC |
| Выходная емкость | 98pF |
| Размеры упаковки | SOT-23 standard (not provided in datasheet) |
| Rds on vgs neg4.5v | 68mΩ max (53mΩ typ) |
| Время спада | 10ns |
| Время задержки включения | 14ns |
| Rds on vgs minus10v | 55mΩ max |
| Время задержки выключения | 19ns |
| Current drain pulsed | -15A |
| Rds on vgs minus4 5v | 68mΩ max |
| Voltage drain source | -30V |
| Напр. диода | -0.8V typ, -1.2V max |
| Voltage gate source max | ±20V |
| Тип. прямое напряжение диода | -0.8V |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -1.0V |
| Тип. пороговое Uзи | -1.5V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Current drain continuous 25c | -4.1A |
| Current drain continuous 70c | -3.2A |
| Обратная проходная емкость | 74pF |
| Body diode continuous current | -4.1A |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 105°C/W |