Документация
IRLML9301TRPBF-VB
У поставщика
ПроизводительVBSEMI
КатегорияТранзисторы
У поставщиков
9 500 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:9 500 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,25 |
| от 1 000 | 5,51 |
| от 10 000 | 4,78 |
Описание
P-канальный силовой MOSFET от VBSEMI в компактном корпусе SOT-23 для поверхностного монтажа. Выдерживает напряжение до -30 В и постоянный ток до -5,6 А, имеет низкое сопротивление открытого канала от 46 мОм. Отличается быстрым переключением и малым зарядом затвора. Подходит для управления нагрузкой, цепей защиты от переполюсовки и DC/DC-преобразователей в портативной и промышленной электронике.
Технические характеристики
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | Body D 2.80-3.04mm, E 2.10-2.64mm, E1 1.20-1.40mm, b 0.35-0.50mm, c 0.085-0.18mm, A 0.89-1.12mm, A1 0.01-0.10mm, A2 0.88-1.02mm, L 0.40-0.60mm, L1 0.64mm ref, e 0.95mm BSC, e1 1.90mm BSC, S 0.50mm ref, q 3°-8° |
| Корпус | SOT-23-3 |
| On resistance | 0.046Ω typ (Vgs=-10V, Id=-4.4A); 0.049Ω typ (Vgs=-6V, Id=-4A); 0.054Ω typ (Vgs=-4.5V, Id=-3.6A) |
| Gate resistance | 1.5Ω min, 7.7Ω typ, 15.4Ω max |
| Switching times | Vgs=-10V: td(on) 13ns typ/20ns max, tr 4ns typ/8ns max, td(off) 38ns typ/57ns max, tf 6ns typ/12ns max; Vgs=-4.5V: td(on) 28ns typ/42ns max, tr 16ns typ/24ns max, td(off) 30ns typ/45ns max, tf 10ns typ/20ns max |
| Вх. емкость | 1295pF typ |
| Рассеиваемая мощность | 2.5W (Tc=25°C); 1.6W (Tc=70°C); 1.25W (Ta=25°C); 0.8W (Ta=70°C) |
| Полный заряд затвора | 11.4nC typ (Vgs=-4.5V, Id=-5.4A); 24nC typ (Vgs=-10V, Id=-5.4A) |
| Выходная емкость | 150pF typ |
| Дополнительные функции | TrenchFET Power MOSFET, 100% Rg tested |
| Gate source leakage | ±100nA max |
| Импульсный ток стока | -18A (t=100μs) |
| Gate threshold voltage | -0.5V to -2.0V |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Continuous drain current | -5.6A (Tc=25°C); -5.1A (Tc=70°C); -5.4A (Ta=25°C); -4.3A (Ta=70°C) |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Прямая крутизна | 18S typ (Vds=-15V, Id=-3.4A) |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Body diode forward voltage | -0.8V to -1.2V (Is=-4.3A) |
| Source drain diode current | -2.1A (Tc=25°C); -1A (Ta=25°C) |
| Диап. раб. темп. | -55°C to 150°C |
| Обратная проходная емкость | 130pF typ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -30V |
| Zero gate voltage drain current | -1μA max (Vds=-30V, Tj=25°C); -5μA max (Vds=-30V, Tj=55°C) |
| Body diode reverse recovery time | 15ns typ, 23ns max |
| Body diode reverse recovery charge | 7nC typ, 14nC max |
| Thermal resistance junction to foot | 40 °C/W typ, 50 °C/W max |
| Термосопротивление переход-среда | 75 °C/W typ, 100 °C/W max (t≤5s); steady state 166 °C/W max |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |