Документация
Транзистор полевой IRLML9301TRPBF
В наличии
На своём складе
5 968 шт.
Норм. уп.: 1
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,81 |
Описание
Транзистор полевой P-channel Power MOSFET от китайского производителя. Работает при напряжении до -30 В, ток стока ограничен мощностью рассеивания, сопротивление открытого канала — от 64 мОм при 10 В на затворе. Корпус Micro3 (SOT-23) для поверхностного монтажа. Подходит для схем управления нагрузкой и коммутации в компактной электронике.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| RoHS | Yes |
| Тип | P-channel Power MOSFET |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 19ns |
| Артикул | IRLML9301TRPbF |
| Коэф. сниж. | 0.01W/°C |
| R ds on max 10v | 64mΩ |
| R ds on max 4 5v | 103mΩ |
| Напряжение пробоя | -30V min |
| Заряд сток-затвор | 2.5nC |
| Вх. емкость | 388pF |
| Полный заряд затвора | 4.8nC |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Выходная емкость | 93pF |
| Время задержки включения | 9.6ns |
| Время задержки выключения | 16ns |
| Drain source leakage | 1µA (VDS=-24V, VGS=0V) |
| Импульсный ток стока | -15A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -15A |
| Время обратного восстановления | 14ns (typ), 21ns (max) |
| Заряд обратного восстановления | 7.2nC (typ), 11nC (max) |
| Прямая крутизна | 5.0S |
| Internal gate resistance | 12Ω |
| Continuous source current | -1.3A |
| Drain source leakage 125c | 150µA |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -2.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.6V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA (VGS=-20V) |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA (VGS=20V) |
| Длительный ток стока 25°C | -3.6A |
| Continuous drain current 70c | -2.9A |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | 0.02V/°C |
| Тепловое сопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient short | 99°C/W (t<10s) |