Документация
Транзистор полевой IRLML9301TRPBF
У поставщика
У поставщиков
47 943 шт.
Норм. уп.: 100
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 13срок до недели
Цена за шт27,55 ₽
Сумма826,50 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии42 299 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 30 штюрлицам и ИП
от 216 — 25,40 ₽ (−8%)
Склад 2срок до 2 недель
Цена за шт—
Сумма—
В наличии5 608 шт
от 200 штюрлицам и ИП
продаётся от 200 штпри 200 — 4,28 ₽
Заказ со склада «Склад 13» с этой позицией — 826,50 ₽. До заказа без доплаты не хватает 16 473,50 ₽; пока не набрано, 490,00 ₽ распределятся по ценам позиций этого склада.
30 шт · Склад 13 · 826,50 ₽
Описание
Полевой транзистор IRLML9301TRPBF от Infineon работает как P-канальный MOSFET. Компонент рассчитан на напряжение до -20 В и ток до -3,8 А, выполнен в компактном корпусе SOT-23. Подходит для управления нагрузкой в портативных устройствах и цепях защиты от обратной полярности.
Технические характеристики
| MSL | MSL1 |
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Цоколевка | Industry-standard |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Макс. Vds | -30V |
| Макс. Vgs | ±20V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 15ns |
| Время нарастания | 19ns |
| Описание | HEXFET силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML9301TRPBF |
| Мин. напряжение пробоя VBR(DSS) | -30V |
| Тип канала | P-канал |
| Квалификация | Потребительский |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 2.5nC |
| Вх. емкость | 388pF |
| Полный заряд затвора | 4.8nC |
| Макс. пороговое Vgs | -2.4V |
| Мин. пороговое Vgs | -1.3V |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Выходная емкость | 93pF |
| RDS(on) макс. при VGS 10 В | 64mΩ |
| Тип. Rds(on) при Vgs 10 В | 51mΩ |
| Время задержки включения | 9.6ns |
| RDS(on), макс. при VGS 4,5 В | 103mΩ |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 82mΩ |
| Время задержки выключения | 16ns |
| Импульсный ток стока | -15A |
| Импульсный ток истока | -15A |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Макс. ток утечки сток-исток | 1μA |
| Внутреннее сопротивление затвора | 12Ω |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при Ta 70 °C | 0.8W |
| Температурный коэффициент напряжения пробоя сток-исток | 0.02V/°C |
| Длительный ток истока | -1.3A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Макс. время обрат. восстановления | 21ns |
| Тип. время восст. | 14ns |
| Диапазон температур хранения перехода | -55 to +150°C |
| Макс. заряд обратного восстановления | 11nC |
| Тип. заряд восст. | 7.2nC |
| Мин. прямая крутизна | 5.0S |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Ток утечки сток-исток при 125 °C, макс. | 150μA |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | -3.6A |
| Длительный ток стока при Ta 70 °C | -2.9A |
| Прямой ток утечки затвор-исток, макс. | -100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток, макс. | 100nA |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда t < 10 с | 99°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?