Документация
Транзистор полевой IRLML9301
У поставщика
У поставщиков
49 627 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:30 617 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 158 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,42 |
| от 1 117 | 3,80 |
| от 2 233 | 3,37 |
| от 6 000 | 3,01 |
| от 9 000 | 2,82 |
Склад 12
В наличии:19 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,18 |
| от 1 000 | 2,88 |
| от 10 000 | 2,48 |
Склад 14
В наличии:10 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 6,51 |
Описание
Транзистор полевой IRLML9301 производства HOTTECH представляет собой P-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации нагрузок и управления питанием. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для работы в цепях с пониженным напряжением управления. Устройство выпускается в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, что делает его пригодным для компактных электронных схем.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Тип монтажа | SMD |
| Уровень MSL | 1 |
| Технология | P-Channel MOSFET |
| Применение | Load Switch (implied) |
| Тип упаковки | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Тип. время спада | 15ns |
| Тип. время нарастания | 19ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Package lead width | 0.3-0.5mm |
| Package body height | 0.9-1.15mm |
| Drain current pulsed | -15A |
| Package body height2 | 0.9-1.05mm |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.5nC |
| Тип. входная емкость | 388pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Тип. заряд затвора | 4.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 93pF |
| Время задержки вкл. тип. | 9.6ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Package standoff height | 0-0.1mm |
| Время задержки выкл. тип. | 16ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Gate leakage forward max | -100nA |
| Gate leakage reverse max | 100nA |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Drain leakage current max | 1μA |
| Тип. время восст. | 14ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.4V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Package lead thickness min | 0.08mm |
| Тип. заряд восст. | 7.2nC |
| Drain current continuous 25c | -3.6A |
| Drain current continuous 70c | -2.9A |
| Forward transconductance typ | 3.5S |
| Internal gate resistance typ | 12Ω |
| Drain leakage current 125c max | 150μA |
| Pulsed source current body diode | -15A |
| Обр. проходная емкость тип. | 65pF |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -30V |
| Continuous source current body diode | -1.3A |
| Static drain source on resistance 10v max | 64mΩ |
| Static drain source on resistance 4 5v max | 103mΩ |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient short | 99°C/W |