Документация
Транзистор полевой IRLML9301
У поставщика
У поставщиков
60 760 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:23 263 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 142 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,90 |
| от 1 117 | 4,21 |
| от 2 233 | 3,74 |
| от 6 000 | 3,35 |
| от 9 000 | 3,13 |
Склад 12
В наличии:19 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,18 |
| от 1 000 | 3,17 |
| от 10 000 | 2,74 |
Склад 39
В наличии:18 487 шт.
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,66 |
| от 900 | 3,83 |
| от 1 500 | 3,37 |
| от 2 475 | 3,00 |
| от 4 125 | 2,75 |
Склад 14
В наличии:10 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 7,20 |
Описание
Транзистор полевой IRLML9301 производства HOTTECH представляет собой P-канальный MOSFET, предназначенный для коммутации нагрузок и управления питанием. Компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для работы в цепях с пониженным напряжением управления. Устройство выпускается в миниатюрном корпусе для поверхностного монтажа, что делает его пригодным для компактных электронных схем.
Технические характеристики
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 15ns |
| Уровень MSL | 1 |
| Время нарастания | 19ns |
| Технология | P-Channel MOSFET |
| Применение | Load Switch (implied) |
| Тип. время спада | 15ns |
| Тип. время нарастания | 19ns |
| Тип компонента | P-Channel MOSFET |
| Соотв. RoHS | Да |
| Заряд сток-затвор | 2.5nC |
| Вх. емкость | 388pF |
| Полный заряд затвора | 4.8nC |
| Заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Выходная емкость | 93pF |
| Package lead width | 0.3-0.5mm |
| Rds on max vgs 10v | 64mΩ |
| Время задержки включения | 9.6ns |
| Структура | P-канал |
| Package body height | 0.9-1.15mm |
| Rds on max vgs 4 5v | 103mΩ |
| Время задержки выключения | 16ns |
| Drain current pulsed | -15A |
| Gate leakage forward | -100nA |
| Gate leakage reverse | 100nA |
| Package body height2 | 0.9-1.05mm |
| Импульсный ток стока | -15A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.5nC |
| Тип. входная емкость | 388pF |
| Размеры корпуса мм | A: 0.900-1.150; B: 0.300-0.500; C: 0.080-0.200; A1: 0.000-0.100; A2: 0.900-1.050 |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -15A |
| Время обратного восстановления | 14ns |
| Тип. заряд затвора | 4.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Выходная емкость тип. | 93pF |
| Время задержки вкл. тип. | 9.6ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±20V |
| Package standoff height | 0-0.1mm |
| Заряд обратного восстановления | 7.2nC |
| Время задержки выкл. тип. | 16ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -30V |
| Прямая крутизна | 3.5S |
| Gate leakage forward max | -100nA |
| Gate leakage reverse max | 100nA |
| Internal gate resistance | 12Ω |
| Continuous source current | -1.3A |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Drain leakage current max | 1μA |
| Макс. время обрат. восстановления | 21ns |
| Тип. время восст. | 14ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | 2.4V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | 1.2V |
| Тип. пороговое Uзи | 2.4V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to 150°C |
| Package lead thickness min | 0.08mm |
| Reverse recovery charge max | 11nC |
| Тип. заряд восст. | 7.2nC |
| Длительный ток стока 25°C | -3.6A |
| Continuous drain current 70c | -2.9A |
| Drain current continuous 25c | -3.6A |
| Drain current continuous 70c | -2.9A |
| Drain source leakage current | 1μA |
| Forward transconductance typ | 3.5S |
| Internal gate resistance typ | 12Ω |
| Обратная проходная емкость | 65pF |
| Drain leakage current 125c max | 150μA |
| Pulsed source current body diode | -15A |
| Обр. проходная емкость тип. | 65pF |
| Drain source leakage current 125c | 150μA |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -30V |
| Continuous source current body diode | -1.3A |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Static drain source on resistance 10v max | 64mΩ |
| Static drain source on resistance 4 5v max | 103mΩ |
| Thermal resistance junction to ambient 10s | 99°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient short | 99°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?