Документация
IRLML6402TRPBF, [SOT 23] транзистор P канал 20В -3.7А Micro3 (=SI2301BDS-T1-E3, IRLML6402)
У поставщика
ПроизводительTRR
У поставщиков
240 шт.
Норм. уп.: 500
Описание
P-канальный MOSFET-транзистор от TRR в миниатюрном корпусе SOT-23. Компонент рассчитан на напряжение до 20 В и ток до 3,7 А, отличается низким сопротивлением открытого канала и быстрым переключением. Подходит для схем управления нагрузкой, коммутации в DC/DC-преобразователях и портативных устройствах.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Особенности | TrenchFET Power MOSFET, 100% Rg tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Размах выводов | 1.90mm |
| Шаг выводов | 0.95mm |
| Артикул | IRLML6402TRPBF |
| Применение | Load Switch, PA Switch, DC/DC Converters |
| Без галогенов | Да |
| Макс. время спада | 18ns |
| Тип. время спада | 9ns |
| Макс. время нарастания | 30ns |
| Тип. время нарастания | 20ns |
| Макс. ширина вывода | 0.50mm |
| Мин. ширина вывода | 0.35mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Описание | MOSFETs MOSFT P-Ch -3.7A 65mOhm 8nC Log Lvl |
| Макс. высота корпуса | 1.12mm |
| Мин. высота корпуса | 0.89mm |
| Структура | P-канал |
| Сопротивление затвора, макс. | 8.8Ω |
| Сопротивление затвора, мин. | 0.9Ω |
| Тип. сопротивление затвора | 4.4Ω |
| Тип. заряд затвор-сток | 3.4nC |
| Тип. входная емкость | 835pF |
| Макс. напряжение диода тела | -1.2V |
| Body diode voltage typ | -0.8V |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.7nC |
| Выходная емкость тип. | 180pF |
| Макс. ширина корпуса | 2.64mm |
| Мин. ширина корпуса | 2.10mm |
| Время вкл. макс. | 33ns |
| Время задержки вкл. тип. | 22ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Макс. длина корпуса | 3.04mm |
| Мин. длина корпуса | 2.80mm |
| Макс. время выключения | 42ns |
| Время задержки выкл. тип. | 28ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -20V |
| Рассеиваемая мощность при 25 °C | 1.2W |
| Рассеиваемая мощность при TC 25 °C | 2.5W |
| Макс. импульсный ток стока | -18A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Тип. прямая крутизна | 15S |
| Total gate charge vgs 4.5v typ | 10nC |
| Длительный ток стока при Ta 25 °C | -4.5A |
| Непрерывный ток стока при 25 °C | -5A |
| Pulse diode forward current max | -20A |
| Обр. проходная емкость тип. | 155pF |
| Пороговое напряжение затвор-исток, макс. | -1.5V |
| Пороговое напряжение затвор-исток, мин. | -0.5V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -20V |
| Время обратного восстановления диода, макс. | 35ns |
| Тип. время восстановления диода | 23ns |
| Заряд обратного восстановления диода, макс. | 20nC |
| Тип. заряд восстановления диода | 12nC |
| Drain source on resistance vgs 10v max | 0.035Ω |
| Тип. сопротивление открытого сток-исток, Vgs 10 В | 0.035Ω |
| Сопротивление сток-исток открытого при Vgs 2,5 В, макс. | 0.061Ω |
| Сопротивление сток-исток открытого при Vgs 2,5 В, тип. | 0.061Ω |
| Макс. сопротивление сток-исток открытого при Vgs 4,5 В | 0.043Ω |
| Тип. сопротивление сток-исток открытого при Vgs 4,5 В | 0.043Ω |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, макс. | 50°C/W |
| Тепловое сопротивление кристалл-вывод, тип. | 40°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, тип. | 75°C/W |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -2.1A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?