Документация
IRLML6402TRPBF, [SOT 23] транзистор P канал 20В -3.7А Micro3 (=SI2301BDS-T1-E3, IRLML6402)
У поставщика
ПроизводительTRR
У поставщиков
240 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:240 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 500 | 3,02 |
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | TO-236 (SOT-23) |
| Особенности | TrenchFET Power MOSFET, 100% Rg tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Lead span | 1.90mm |
| Шаг выводов | 0.95mm |
| Артикул | IRLML6402TRPBF |
| Применение | Load Switch, PA Switch, DC/DC Converters |
| Без галогенов | Да |
| Макс. время спада | 18ns |
| Тип. время спада | 9ns |
| Макс. время нарастания | 30ns |
| Тип. время нарастания | 20ns |
| Lead width max | 0.50mm |
| Lead width min | 0.35mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Макс. высота корпуса | 1.12mm |
| Package height min | 0.89mm |
| Структура | P-канал |
| Gate resistance max | 8.8Ω |
| Gate resistance min | 0.9Ω |
| Gate resistance typ | 4.4Ω |
| Тип. заряд затвор-сток | 3.4nC |
| Тип. входная емкость | 835pF |
| Body diode voltage max | -1.2V |
| Body diode voltage typ | -0.8V |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.7nC |
| Выходная емкость тип. | 180pF |
| Package body width max | 2.64mm |
| Package body width min | 2.10mm |
| Время вкл. макс. | 33ns |
| Время задержки вкл. тип. | 22ns |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Package body length max | 3.04mm |
| Package body length min | 2.80mm |
| Макс. время выключения | 42ns |
| Время задержки выкл. тип. | 28ns |
| Макс. напряжение сток-исток | -20V |
| Power dissipation ta 25c | 1.2W |
| Power dissipation tc 25c | 2.5W |
| Pulsed drain current max | -18A |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Forward transconductance typ | 15S |
| Total gate charge vgs 4.5v typ | 10nC |
| Continuous drain current ta 25c | -4.5A |
| Continuous drain current tc 25c | -5A |
| Pulse diode forward current max | -20A |
| Обр. проходная емкость тип. | 155pF |
| Gate source threshold voltage max | -1.5V |
| Gate source threshold voltage min | -0.5V |
| Мин. напряжение сток-исток пробоя | -20V |
| Body diode reverse recovery time max | 35ns |
| Body diode reverse recovery time typ | 23ns |
| Body diode reverse recovery charge max | 20nC |
| Body diode reverse recovery charge typ | 12nC |
| Drain source on resistance vgs 10v max | 0.035Ω |
| Drain source on resistance vgs 10v typ | 0.035Ω |
| Drain source on resistance vgs 2.5v max | 0.061Ω |
| Drain source on resistance vgs 2.5v typ | 0.061Ω |
| Drain source on resistance vgs 4.5v max | 0.043Ω |
| Drain source on resistance vgs 4.5v typ | 0.043Ω |
| Thermal resistance junction to foot max | 50°C/W |
| Thermal resistance junction to foot typ | 40°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -2.1A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |