Документация
IRLML6402TRPBF SOT-23 MOSFET транзистор HOTTECH (арт. 187956)
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
5 500 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:5 500 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,46 |
Описание
Транзистор MOSFET IRLML6402TRPBF от HOTTECH в компактном корпусе SOT-23 представляет собой P-канальный полевой транзистор. Компонент оптимизирован для работы с низким напряжением управления, что позволяет коммутировать нагрузку напрямую от логических уровней микроконтроллеров. Применяется в цепях управления питанием, защите от обратной полярности и в портативной электронике, обеспечивая малое сопротивление канала в открытом состоянии.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Маркировка | 1E |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-Channel |
| Время спада | 381ns |
| Без свинца | Да |
| Время нарастания | 48ns |
| Артикул | IRLML6402TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | Guangdong Hottech Industrial |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Задержка включения | 350ns |
| Высота корпуса | <1.1mm |
| Задержка выключения | 588ns |
| Avalanche energy | 11mJ |
| Мощность | 1.25 W |
| Вх. емкость | 633pF |
| Полный заряд затвора | 8nC typ, 12nC max |
| Low profile height | <1.1mm |
| On resistance 2.5v | 0.080Ω typical, 0.135Ω max (Vgs=-2.5V, Id=-3.1A) |
| On resistance 4.5v | 0.065Ω typical, 0.080Ω max (Vgs=-4.5V, Id=-3.7A) |
| Выходная емкость | 145pF |
| Время задержки включения | 350ns |
| Напряжение затвор-исток | ±12V |
| Время задержки выключения | 588ns |
| Напряжение сток-исток | -20V |
| Gate leakage forward | -100nA |
| Gate leakage reverse | 100nA |
| Импульсный ток стока | -22A |
| Напряжение | 20 V |
| Напр. диода | -1.2V |
| Drain leakage current | -1.0µA |
| Gate drain charge max | 4.2nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.8nC |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -22A |
| Время обратного восстановления | 29ns typ, 43ns max |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8.0nC |
| Gate source charge max | 1.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Gate threshold voltage | -0.40V min, -0.55V typ, -1.2V max |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Avalanche energy single | 11mJ |
| Заряд обратного восстановления | 11nC typ, 17nC max |
| Прямая крутизна | 6.0S |
| Continuous source current | -1.3A |
| Drain leakage current 70c | -25µA |
| Rds on vgs 2 5v id 1a max | 0.135Ω |
| Rds on vgs 2 5v id 1a typ | 0.100Ω |
| Макс. время обрат. восстановления | 43ns |
| Тип. время восст. | 29ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.40V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.55V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Rds on vgs 4 5v id 3 7a max | 0.065Ω |
| Rds on vgs 4 5v id 3 7a typ | 0.058Ω |
| Reverse recovery charge max | 17nC |
| Тип. заряд восст. | 11nC |
| Длительный ток стока 25°C | -3.7A |
| Continuous drain current 70c | -2.2A |
| Обратная проходная емкость | 110pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.009 V/°C |
| Термосопротивление переход-среда | 75°C/W typ, 100°C/W max |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |