Документация
Транзистор полевой IRLML6402TRPBF
В наличии
На своём складе
66 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
50 314 шт.
Норм. уп.: 500
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 5,35 |
| от 60 | 5,14 |
| от 120 | 5,00 |
| от 200 | 4,89 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:47 034 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 24 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 30,06 |
| от 209 | 27,74 |
| от 417 | 26,17 |
| от 833 | 24,79 |
| от 1 665 | 23,87 |
Склад 12
В наличии:3 259 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 8,28 |
| от 500 | 6,52 |
Склад 38
В наличии:21 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 5,61 |
Описание
Полевой транзистор IRLML6402TRPBF от Infineon выполнен в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на максимальный ток стока 3,7 А и напряжение сток-исток 20 В. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала, что снижает потери мощности. Применяется в цепях управления питанием портативных устройств и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Profile | <1.1mm |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 381ns typ |
| Ток стока импульсный | -22A |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | Tape and Reel |
| Время нарастания | 48ns typ |
| Технология | HEXFET |
| Vgs порог макс. | -1.2V |
| Vgs порог мин. | -0.4V |
| Vgs(th) тип. | -0.55V |
| Артикул | IRLML6402TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | Micro3/SOT23 |
| Тип. время спада | 381ns |
| Rds on at 2v5 | 0.080Ω typ, 0.135Ω max |
| Rds on at 4v5 | 0.050Ω typ, 0.065Ω max |
| Тип. время нарастания | 48ns |
| Высота корпуса | <1.1mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток стока непрерывный 25C | -3.7A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.2A |
| Вх. емкость | 633pF typ |
| Vds breakdown min | -20V |
| Выходная емкость | 145pF typ |
| Время задержки включения | 350ns typ |
| Структура | P-канал |
| Rds on max vgs 2 5v | 0.135Ω |
| Rds on max vgs 4 5v | 0.065Ω |
| Rds on typ vgs 2 5v | 0.080Ω |
| Rds on typ vgs 4 5v | 0.050Ω |
| Время задержки выключения | 588ns typ |
| Импульсный ток стока | -22A |
| Gate drain charge max | 4.2nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.8nC |
| Тип. входная емкость | 633pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Gate source charge max | 1.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Выходная емкость тип. | 145pF |
| Standard pack quantity | 3000 |
| Время задержки вкл. тип. | 350ns |
| Время задержки выкл. тип. | 588ns |
| Drain source leakage max | -1µA |
| Прямая крутизна | 6.0S min |
| Gate to drain charge max | 4.2nC |
| Gate to drain charge typ | 2.8nC |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Gate to source charge max | 1.8nC |
| Gate to source charge typ | 1.2nC |
| Макс. время обрат. восстановления | 43ns |
| Тип. время восст. | 29ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.2V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.40V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.55V |
| Gate source leakage current | -100nA max at VGS=-12V, 100nA max at VGS=12V |
| Reverse recovery charge max | 17nC |
| Тип. заряд восст. | 11nC |
| Длительный ток стока 25°C | -3.7A |
| Continuous drain current 70c | -2.2A |
| Drain source leakage 70c max | -25µA |
| Drain source leakage current | -1.0μA max at 25°C, -25μA max at 70°C |
| Forward transconductance min | 6S |
| Обратная проходная емкость | 110pF typ |
| Avalanche energy single pulse | 11mJ |
| Энергия одиноч. импульса | 11mJ |
| Gate source leakage forward max | -100nA |
| Gate source leakage reverse max | 100nA |
| Source drain pulsed current max | -22A |
| Обр. проходная емкость тип. | 110pF |
| Source drain diode pulsed current | -22A |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.009V/°C |
| Source drain continuous current max | -1.3A |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Source drain diode continuous current | -1.3A |
| Breakdown voltage temperature coefficient | -0.009V/°C |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.78 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?