Документация
Транзистор полевой IRLML6402TRPBF
В наличии
На своём складе
66 шт.
Норм. уп.: 3000
У поставщиков
122 116 шт.
Норм. уп.: 500
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 4,79 |
| от 60 | 4,60 |
| от 120 | 4,47 |
| от 200 | 4,38 |
Цены поставщиков
Склад 13
В наличии:109 116 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 58 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 11,93 |
| от 461 | 10,73 |
| от 922 | 9,92 |
| от 1 843 | 9,22 |
| от 3 000 | 8,77 |
Склад 12
В наличии:13 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 7,25 |
| от 500 | 5,82 |
Описание
Полевой транзистор IRLML6402TRPBF от Infineon выполнен в компактном корпусе SOT-23. Он рассчитан на максимальный ток стока 3,7 А и напряжение сток-исток 20 В. Модель отличается низким сопротивлением открытого канала, что снижает потери мощности. Применяется в цепях управления питанием портативных устройств и бытовой электроники.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Profile | <1.1mm |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -22A |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | Tape and Reel |
| Технология | HEXFET |
| Vgs порог макс. | -1.2V |
| Vgs порог мин. | -0.4V |
| Vgs(th) тип. | -0.55V |
| Артикул | IRLML6402TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Тип. время спада | 381ns |
| Тип. время нарастания | 48ns |
| Соотв. RoHS | Да |
| Ток стока непрерывный 25C | -3.7A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.2A |
| Vds breakdown min | -20V |
| Rds on max vgs 2 5v | 0.135Ω |
| Rds on max vgs 4 5v | 0.065Ω |
| Rds on typ vgs 2 5v | 0.080Ω |
| Rds on typ vgs 4 5v | 0.050Ω |
| Тип. входная емкость | 633pF |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Выходная емкость тип. | 145pF |
| Standard pack quantity | 3000 |
| Время задержки вкл. тип. | 350ns |
| Время задержки выкл. тип. | 588ns |
| Drain source leakage max | -1µA |
| Gate to drain charge max | 4.2nC |
| Gate to drain charge typ | 2.8nC |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Gate to source charge max | 1.8nC |
| Gate to source charge typ | 1.2nC |
| Макс. время обрат. восстановления | 43ns |
| Тип. время восст. | 29ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to 150°C |
| Reverse recovery charge max | 17nC |
| Тип. заряд восст. | 11nC |
| Drain source leakage 70c max | -25µA |
| Forward transconductance min | 6S |
| Энергия одиноч. импульса | 11mJ |
| Gate source leakage forward max | -100nA |
| Gate source leakage reverse max | 100nA |
| Source drain pulsed current max | -22A |
| Обр. проходная емкость тип. | 110pF |
| Температурный коэффициент пробивного напряжения | -0.009V/°C |
| Source drain continuous current max | -1.3A |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |