Документация
IRLML6402, [SOT-23]; 20V 3.7A 1.3W 65mR@4.5V,3.7A 950mV@250?A P Channel MOSFETs ROHS; =SI2377EDS(Vis
У поставщика
ПроизводительUMW
У поставщиков
13 000 шт.
Норм. уп.: 1000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:13 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 1000
Минимальная партия: 10000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 1 000 | 2,63 |
| от 10 000 | 2,48 |
Описание
P-канальный MOSFET IRLML6402 от UMW в компактном корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до 20 В и постоянный ток 3.7 А при мощности 1.3 Вт, отличается низким сопротивлением открытого канала 65 мОм при 4.5 В. Подходит для схем управления питанием и коммутации нагрузки в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Enhancement MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Особенности | Ultra low on-resistance, P-Channel, SOT-23 footprint, Low profile (<1.1mm), Fast switching |
| Тип монтажа | SMD |
| Размеры | A: 0.90-1.15mm; B: 0.30-0.50mm; C: 0.08-0.15mm; D: 2.80-3.00mm; E: 1.20-1.40mm; L: 0.55mm (ref); A1: 0.00-0.10mm; A2: 0.90-1.05mm; E1: 2.25-2.55mm; L1: 0.30-0.50mm; Theta: 0°-8° |
| Артикул | IRLML6402 |
| Корпус | SOT-23-3 |
| Capacitance input | 450pF (typ) |
| Gate charge total | 8nC (typ), 12nC (max) |
| Capacitance output | 100pF (typ) |
| Структура | P-канал |
| Current pulsed drain | -30A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Время обратного восстановления | 43ns |
| Gate charge gate drain | 2.8nC (typ), 4.2nC (max) |
| Gate charge gate source | 1.2nC (typ), 1.8nC (max) |
| Заряд обратного восстановления | 11nC |
| Voltage max gate source | ±12V |
| Voltage max drain source | -20V |
| Temperature range storage | -55°C to 150°C |
| Temperature range junction | -55°C to 150°C |
| Capacitance reverse transfer | 35pF (typ) |
| Current continuous drain 25c | -3.7A |
| Current continuous drain 70c | -2.2A |
| Avalanche energy single pulse | 11mJ |
| Threshold voltage gate source | -0.40V to -0.55V |
| Resistance drain source on vgs2.5v | 80mΩ (typ), 135mΩ (max) |
| Resistance drain source on vgs4.5v | 65mΩ |
| Термосопротивление переход-среда | 100°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.7 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?