Документация
Транзистор IRLML6402
У поставщика
У поставщиков
307 858 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:240 000 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 30000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,11 |
| от 3 000 | 2,02 |
| от 30 000 | 1,81 |
Склад 14
В наличии:63 964 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 4,26 |
Склад 13
В наличии:3 894 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 3000
Минимальная партия: 190 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,67 |
| от 783 | 3,07 |
| от 1 565 | 2,60 |
| от 3 000 | 2,25 |
| от 9 000 | 2,04 |
Описание
Транзистор IRLML6402 производства HOTTECH — это P-канальный полевой MOSFET, предназначенный для коммутации нагрузок в цепях с низким напряжением. Компонент отличается пониженным сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Применяется в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Ток | 3.7 A |
| Маркировка | 1E |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -22A |
| Без свинца | Да |
| Артикул | IRLML6402 |
| Без галогенов | Да |
| Корпус | SOT-23 |
| Монтаж | SMD |
| Тип. время спада | 381ns |
| Тип. время нарастания | 48ns |
| Мощность | 1.25 W |
| Ток стока непрерывный 25C | -3.7A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.2A |
| Макс. пороговое Vgs | -1.2V |
| Мин. пороговое Vgs | -0.4V |
| Vgs threshold typ | -0.55V |
| Rds on max vgs 2.5v | 0.100Ω |
| Rds on max vgs 4.5v | 0.065Ω |
| Rds on typ vgs 2.5v | 0.080Ω |
| Rds on typ vgs 4.5v | 0.058Ω |
| Напряжение | -20 V |
| Gate drain charge max | 4.2nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.8nC |
| Power derating factor | 0.01W/°C |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Gate source charge max | 1.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Время задержки вкл. тип. | 350ns |
| Avalanche energy single | 11mJ |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 588ns |
| Прямая крутизна | 6.0S |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Макс. время обрат. восстановления | 43ns |
| Тип. время восст. | 29ns |
| Ciss input capacitance typ | 633pF |
| Coss output capacitance typ | 145pF |
| Pulsed source diode current | -22A |
| Reverse recovery charge max | 17nC |
| Тип. заряд восст. | 11nC |
| Continuous source diode current | -1.3A |
| Crss reverse transfer capacitance typ | 110pF |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |