Документация
Транзистор IRLML6402
У поставщика
У поставщиков
414 455 шт.
Норм. уп.: 3000
шт
Выгоднее:
Откуда взять
СкладЦена за штСуммаВ наличииУсловия
Склад 39срок до недели
Цена за шт3,70 ₽
дешевле всех
Сумма740,00 ₽
В наличии144 862 шт
от 200 штюрлицам и ИП
от 1 075 — 3,02 ₽ (−18%)
Склад 13срок до недели
Цена за шт4,20 ₽
Сумма840,00 ₽
+ доплата 490,00 ₽
В наличии38 129 шт
без доплаты — заказ со склада от 17 300,00 ₽меньше — +490,00 ₽ на заказ, в ценах позицийот 200 штюрлицам и ИП
от 666 — 3,57 ₽ (−15%)
Склад 14срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии61 464 шт
только упаковками по 3 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 3 000 штпри 3 000 — 4,55 ₽
Склад 12срок до недели
Цена за шт—
Сумма—
В наличии170 000 шт
от 30 000 штюрлицам и ИП
продаётся от 30 000 штпри 30 000 — 2,15 ₽
200 шт · Склад 39 · 740,00 ₽
Описание
Транзистор IRLML6402 производства HOTTECH — это P-канальный полевой MOSFET, предназначенный для коммутации нагрузок в цепях с низким напряжением. Компонент отличается пониженным сопротивлением открытого канала, что обеспечивает высокую эффективность и минимальные потери. Применяется в схемах управления питанием, DC-DC преобразователях и портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Тип | P-канальный MOSFET |
| Ток, А | 3.7 A |
| Маркировка | 1E |
| Корпус | SOT-23 |
| Макс. Vds | -20V |
| Макс. Vgs | ±12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Компонент | IRLML6402 |
| Ток стока импульсный | -22A |
| Без свинца | Да |
| Описание | P-канальный силовой MOSFET |
| Артикул | IRLML6402 |
| Без галогенов | Да |
| Время спада | 381ns |
| Время нарастания | 48ns |
| Тип. время спада | 381ns |
| Тип. время нарастания | 48ns |
| Высота профиля | <1.1mm |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Ток стока непрерывный 25C | -3.7A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -2.2A |
| Макс. пороговое Vgs | -1.2V |
| Мин. пороговое Vgs | -0.4V |
| Тип. пороговое напряжение затвор-исток | -0.55V |
| Структура | P-канал |
| Rds on max vgs 2.5v | 0.100Ω |
| Rds on max vgs 4.5v | 0.065Ω |
| Rds on typ vgs 2.5v | 0.080Ω |
| Rds on typ vgs 4.5v | 0.058Ω |
| Макс. Rds(on) при Vgs 2,5 В | 0.135Ω |
| Сопротивление сток-исток при Vgs 2,5 В, тип. | 0.083Ω |
| Макс. Rds(on) при Vgs 4,5 В | 0.080Ω |
| Тип. RDS(on) при VGS 4,5 В | 0.065Ω |
| Напряжение, В | -20 V |
| Заряд затвор-сток, макс. | 4.2nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.8nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01W/°C |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Рассеиваемая мощность при 70 °C | 0.8W |
| Заряд затвора макс. | 12nC |
| Тип. заряд затвора | 8nC |
| Входная емкость Ciss | 633pF |
| Заряд затвор-исток, макс. | 1.8nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.2nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Reverse recovery di dt | -100A/µs |
| Время задержки вкл. тип. | 350ns |
| Энергия лавины (одиночная) | 11mJ |
| Выходная емкость Coss | 145pF |
| Макс. темп. хр. | 150°C |
| Мин. темп. хр. | -55°C |
| Время задержки выкл. тип. | 588ns |
| Vgs gate source voltage | ±12V |
| Прямая крутизна | 6.0S |
| Idm pulsed drain current | -22A |
| Макс. темп. перехода | 150°C |
| Темп. перехода мин. | -55°C |
| Pd power dissipation 25c | 1.3W |
| Pd power dissipation 70c | 0.8W |
| Qg total gate charge max | 12nC |
| Qg total gate charge typ | 8.0nC |
| Td on turn on delay time | 350ns |
| Vds drain source voltage | -20V |
| Напр. диода макс. | -1.2V |
| Импульсный ток источника ISM | -22A |
| Макс. время обрат. восстановления | 43ns |
| Тип. время восст. | 29ns |
| Частота измерения ёмкости | 1.0MHz |
| Ciss input capacitance typ | 633pF |
| Qgs gate source charge max | 1.8nC |
| Qgs gate source charge typ | 1.2nC |
| Td off turn off delay time | 588ns |
| Coss output capacitance typ | 145pF |
| Импульсный ток диода истока | -22A |
| Макс. заряд обратного восстановления | 17nC |
| Тип. заряд восст. | 11nC |
| Крутизна | 6.0S |
| Непрерывный ток истока | -1.3A |
| Idss drain source leakage max | -1.0µA |
| Rthja max junction to ambient | 100 °C/W |
| Rthja typ junction to ambient | 75 °C/W |
| Tj tstg junction storage temp | -55 to +150°C |
| Макс. время обратного восстановления | 43ns |
| Trr reverse recovery time typ | 29ns |
| Макс. прямое напряжение диода исток-сток | -1.2V |
| Dvbr dss dt j temp coefficient | -0.009 V/°C |
| Непрерывный ток диода истока | -1.3A |
| Id continuous drain current 25c | -3.7A |
| Id continuous drain current 70c | -2.2A |
| Qrr reverse recovery charge max | 17nC |
| Qrr reverse recovery charge typ | 11nC |
| Qgd gate drain miller charge max | 4.2nC |
| Qgd gate drain miller charge typ | 2.8nC |
| Обр. проходная емкость Crss | 110pF |
| Энергия одиночного лавинного импульса | 11mJ |
| Idss drain source leakage 70c max | -25µA |
| Vgs th gate threshold voltage max | -1.2V |
| Vgs th gate threshold voltage min | -0.40V |
| Vgs th gate threshold voltage typ | -0.55V |
| Igss gate source forward leakage max | -100nA |
| Igss gate source reverse leakage max | 100nA |
| Crss reverse transfer capacitance typ | 110pF |
| Vbr dss drain source breakdown voltage | -20V |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Тепловое сопротивление переход-среда, тип. | 75°C/W |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.78 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.3 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?