Документация
IRLML6401TRPBF, [SOT-23] Транзистор PNP 12В 4,3А
У поставщика
ПроизводительTRR
У поставщиков
91 шт.
Норм. уп.: 500
Цены поставщиков
Склад 12
В наличии:91 шт
Срок поставки: до недели
Норм. уп.: 500
Минимальная партия: 5000 шт
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 4,14 |
| от 500 | 3,44 |
Описание
Транзистор P-Channel MOSFET IRLML6401TRPBF от TRR в компактном корпусе SOT-23. Выдерживает напряжение до -20 В и постоянный ток стока -4,3 А, импульсный ток до -18 А. Отличается низким сопротивлением затвора и быстрым переключением (время нарастания до 30 нс). Подходит для цепей управления питанием в портативной и бытовой электронике.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (TO-236) |
| Особенности | Halogen-free (IEC 61249-2-21), RoHS compliant, TrenchFET, 100% Rg tested |
| Тип монтажа | SMD |
| Полярность | P-Channel |
| Время спада | 9ns to 18ns |
| Время нарастания | 20ns to 30ns |
| Размеры | Width max: 2.64mm; Width min: 2.10mm; Макс. высота: 1.12mm; Height min: 0.89mm; Ширина вывода: 0.35mm to 0.50mm; Макс. длина: 3.04mm; Мин. длина: 2.80mm |
| Gate resistance | 0.9Ω to 8.8Ω |
| Описание | MOSFETs MOSFT P-Ch -4.3A 50mOhm 10nC Log Lvl |
| Заряд сток-затвор | 3.4nC |
| Вх. емкость | 835pF |
| Body diode voltage | -0.8V to -1.2V |
| Выходная емкость | 180pF |
| Время задержки включения | 22ns to 33ns |
| Gate source leakage | ±100nA |
| Время задержки выключения | 28ns to 42ns |
| Импульсный ток стока | -18A |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±12V |
| Макс. напряжение сток-исток | -20V |
| Прямая крутизна | 15S |
| Power dissipation ta 25c | 1.6W |
| Power dissipation ta 70c | 0.8W |
| Power dissipation tc 25c | 2.5W |
| Power dissipation tc 70c | 1.2W |
| Диап. темп. хр. | -55°C to 150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -1.5V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.5V |
| Total gate charge vgs 4.5v | 10nC |
| Gate source charge vgs 2.5v | 1.7nC |
| Pulse diode forward current | -20A |
| Обратная проходная емкость | 155pF |
| Напряжение пробоя сток-исток | -20V |
| Continuous drain current ta 25c | -4.5A |
| Continuous drain current ta 70c | -3.5A |
| Continuous drain current tc 25c | -5A |
| Continuous drain current tc 70c | -4.8A |
| Zero gate voltage drain current | -1µA |
| Body diode reverse recovery time | 23ns to 35ns |
| Body diode reverse recovery charge | 12nC to 20nC |
| Drain source on resistance vgs 10v | 0.035Ω |
| Drain source on resistance vgs 2.5v | 0.061Ω |
| Drain source on resistance vgs 4.5v | 0.043Ω |
| Zero gate voltage drain current 55c | -10µA |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to 150°C |
| Thermal resistance junction to foot max | 50°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W (5s), 166°C/W (steady state) |
| Continuous source drain diode current tc 25c | -2.1A |
Заметили ошибку в описании или параметрах?