Документация
IRLML6401TRPBF SOT-23 MOSFET транзистор RUME (арт. 270274)
У поставщика
ПроизводительRUME
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
114 000 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:114 000 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 3,24 |
Описание
Транзистор IRLML6401TRPBF от RUME — P-канальный MOSFET в компактном корпусе SOT-23. Предназначен для коммутации нагрузок с низким напряжением управления, обеспечивая малое сопротивление открытого канала. Широко применяется в схемах защиты от переполюсовки, управления питанием портативных устройств и DC/DC-преобразователях.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel MOSFET |
| Тип | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 (Micro3) |
| Макс. Vds | -12V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 210ns |
| Без свинца | Да |
| Упаковка | Tape and Reel |
| Время нарастания | 32ns |
| Артикул | IRLML6401TRPBF |
| Без галогенов | Да |
| Производитель | International Rectifier |
| Высота корпуса | <1.1mm |
| Rds on vgs 1v8 | 0.125 Ω |
| Rds on vgs 2v5 | 0.085 Ω |
| Rds on vgs 4v5 | 0.050 Ω |
| Соотв. RoHS | Да |
| Rds on vgs 1 8v | 0.125Ω |
| Rds on vgs 2 5v | 0.085Ω |
| Rds on vgs 4 5v | 0.050Ω |
| Вх. емкость | 830pF |
| Выходная емкость | 180pF |
| Profile height max | 1.1mm |
| Время задержки включения | 11ns |
| Время задержки выключения | 250ns |
| Gate leakage forward | -100 nA |
| Gate leakage reverse | 100 nA |
| Импульсный ток стока | -34A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Drain leakage current | -1.0 μA |
| Gate drain charge max | 3.9nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.6nC |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -34A |
| Заряд затвора макс. | 15nC |
| Тип. заряд затвора | 10nC |
| Gate source charge max | 2.1nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Standard pack quantity | 3000 |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±8V |
| Voltage gate source max | ±8.0V |
| Drain source leakage 25c | -1.0μA |
| Drain source leakage 55c | -25μA |
| Прямая крутизна | 8.6S |
| Voltage drain source max | -12V |
| Continuous source current | -1.3A |
| Drain leakage current 55c | -25 μA |
| Макс. время обрат. восстановления | 33ns |
| Тип. время восст. | 22ns |
| Диап. темп. хр. | -55°C to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -0.95V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.40V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.55V |
| Диапазон темп. перехода | -55°C to +150°C |
| Прямой ток утечки затвор-исток | -100nA |
| Обратный ток утечки затвор-исток | 100nA |
| Reverse recovery charge max | 12nC |
| Тип. заряд восст. | 8nC |
| Source drain pulsed current | -34A |
| Длительный ток стока 25°C | -4.3A |
| Continuous drain current 70c | -3.4A |
| Обратная проходная емкость | 125pF |
| Avalanche energy single pulse | 33mJ |
| Энергия одиноч. импульса | 33mJ |
| Body diode forward voltage max | -1.2V |
| Source drain continuous current | -1.3A |
| Thermal resistance junction ambient max | 100°C/W |
| Thermal resistance junction ambient typ | 75°C/W |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100 °C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75 °C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?