Документация
IRLML6401TRPBF SOT-23 MOSFET транзистор HOTTECH (арт. 187955)
У поставщика
ПроизводительHOTTECH
КатегорияТранзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
У поставщиков
128 660 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены поставщиков
Склад 29
В наличии:128 660 шт.
Срок поставки: до 10 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 2,65 |
Описание
Транзистор IRLML6401TRPBF в корпусе SOT-23 от HOTTECH представляет собой P-канальный MOSFET с логическим уровнем управления. Предназначен для коммутации нагрузок и цепей питания в компактных электронных устройствах. Отличается низким сопротивлением открытого канала и оптимизирован для работы при пониженных напряжениях затвора.
Технические характеристики
| Тип | P-Channel Power MOSFET |
| Вес | 0.008g |
| Тип | MOSFET |
| Ток, А | 4.3 A |
| Макс. Vds | -12V |
| Макс. Vgs | ±8V |
| Тип монтажа | SMD |
| Время спада | 210ns |
| Время нарастания | 32ns |
| Размеры | B: 0.3-0.5mm; C: 0.08-0.15mm; D: 2.8-3.0mm; E: 1.2-1.4mm; E1: 2.25-2.55mm; A max: 1.15mm; A1 max: 0.1mm; A2 max: 1.05mm; E pitch: 0.95mm typ; E1 pitch: 1.8mm |
| Технология | P-Channel MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Материал корпуса | Molded Plastic, UL 94V-0 |
| Тип монтажа | SMD |
| Задержка включения | 11ns |
| Задержка выключения | 250ns |
| Rds on vgs 1 8v | 0.125Ω |
| Rds on vgs 2 5v | 0.085Ω |
| Rds on vgs 4 5v | 0.050Ω |
| Avalanche energy | 33mJ |
| Мощность, Вт | 1,25 |
| Заряд сток-затвор | 2.6nC |
| Вх. емкость | 830pF |
| Заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Выходная емкость | 180pF |
| Размеры упаковки | 2.8-3.0mm x 1.2-1.4mm x 0.9-1.15mm |
| Время задержки включения | 11ns |
| Класс горючести | 94V-0 |
| Время задержки выключения | 250ns |
| Gate leakage current | ±100nA |
| Импульсный ток стока | -34A |
| Напр. диода | -1.2V |
| Drain leakage current | -1.0µA |
| Gate drain charge max | 3.9nC |
| Тип. заряд затвор-сток | 2.6nC |
| Мощн. рас. 25°C | 1.3W |
| Power dissipation 70c | 0.8W |
| Pulsed source current | -34A |
| Время обратного восстановления | 22ns |
| Заряд затвора макс. | 15nC |
| Тип. заряд затвора | 10nC |
| Gate source charge max | 2.1nC |
| Тип. заряд затвор-исток | 1.4nC |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Напряжение затвор-исток макс. | ±8.0V |
| Заряд обратного восстановления | 8.0nC |
| Макс. напряжение сток-исток | -12V |
| Прямая крутизна | 8.6S |
| Continuous source current | -1.3A |
| Макс. время обрат. восстановления | 33ns |
| Тип. время восст. | 22ns |
| Диап. темп. хр. | -55 to +150°C |
| Пороговое напряжение затвора макс. | -0.95V |
| Пороговое напряжение затвора мин. | -0.40V |
| Тип. пороговое Uзи | -0.55V |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Reverse recovery charge max | 12nC |
| Тип. заряд восст. | 8nC |
| Длительный ток стока 25°C | -4.3A |
| Continuous drain current 70c | -3.4A |
| Обратная проходная емкость | 125pF |
| Энергия одиноч. импульса | 33mJ |
| Напряжение пробоя сток-исток | -12V |
| Gate source leakage forward max | -100nA |
| Gate source leakage reverse max | 100nA |
| Drain source leakage current max | -1.0µA |
| Диапазон темп. перехода | -55 to +150°C |
| Drain source leakage current high temp | -25µA at 55°C |
| Макс. тепловое сопр. переход-среда | 100°C/W |
| Thermal resistance junction to ambient typ | 75°C/W |
Заметили ошибку в описании или параметрах?