Документация
Транзистор полевой IRLML6401TRPBF
В наличии
На своём складе
50 шт.
Норм. уп.: 1
У поставщиков
5 199 шт.
Норм. уп.: 3000
Цены (собственный склад)
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 5,05 |
| от 60 | 4,85 |
| от 120 | 4,68 |
| от 200 | 4,59 |
Цены поставщиков
Склад 2
В наличии:10 шт
Срок поставки: до 2 недель
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 30 | 5,05 |
| от 60 | 4,85 |
| от 120 | 4,68 |
| от 200 | 4,59 |
Склад 38
В наличии:5 127 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 1 | 9,35 |
Склад 14
В наличии:62 шт.
Срок поставки: до 7 дн.
Норм. уп.: 3000
| Кол-во, шт. | Цена, ₽ |
|---|---|
| от 3 000 | 7,08 |
Описание
Транзистор полевой IRLML6401TRPBF от Infineon — P-канальный MOSFET. Работает при напряжении до -20 В и токе до -4,2 А, имеет низкое сопротивление открытого канала. Корпус SOT-23 подходит для компактного монтажа. Применяется в цепях управления питанием и коммутации в портативной электронике.
Технические характеристики
| Тип | полевые (FETs, MOSFETs) |
| Рассеиваемая мощность при 25°C | 1.3W |
| Pd 70c | 0.8W |
| Макс. заряд затвора | 15nC |
| Тип. заряд затвора | 10nC |
| Tf тип. | 210ns |
| Tr тип. | 32ns |
| Gfs min | 8.6S |
| Корпус | Micro3 (SOT-23) |
| Qgd max | 3.9nC |
| Qgd тип. | 2.6nC |
| Qgs max | 2.1nC |
| Qgs тип. | 1.4nC |
| Qrr max | 12nC |
| Qrr тип. | 8.0nC |
| Макс. время обратного восстановления | 33ns |
| Trr тип. | 22ns |
| Макс. Vds | -12V |
| Макс. Vgs | ±8.0V |
| Vsd макс. | -1.2V |
| Тип. Ciss | 830pF |
| Coss тип. | 180pF |
| Тип. Crss | 125pF |
| Idss макс. | -1.0μA |
| Тип монтажа | SMD |
| Ток стока импульсный | -34A |
| Без свинца | Да |
| Rthja max | 100 °C/W |
| Rthja typ | 75 °C/W |
| Td(вкл) тип. | 11ns |
| Gate rated | 1.8V |
| Ism pulsed | -34A |
| Td(выкл) тип. | 250ns |
| Vgs порог макс. | -0.95V |
| Vgs порог мин. | -0.40V |
| Vgs(th) тип. | -0.55V |
| Описание | P-Channel HEXFET Power MOSFET |
| Артикул | IRLML6401TRPBF |
| Vbr dss min | -12V |
| Без галогенов | Да |
| Idss max 55c | -25μA |
| Непрерывный | -1.3A |
| Tj tstg range | -55 to +150°C |
| Profile height | <1.1mm |
| Соотв. RoHS | Да |
| Одиночный импульс EAS | 33mJ |
| Igss forward max | -100nA |
| Igss reverse max | 100nA |
| Ток стока непрерывный 25C | -4.3A |
| Непрерывный ток стока 70°C | -3.4A |
| Vbr dss temp coeff | -0.007 V/°C |
| Rds on vgs 1 8v max | 0.125Ω |
| Rds on vgs 2 5v max | 0.085Ω |
| Rds on vgs 4 5v max | 0.050Ω |
| Orderable part number | IRLML6401TRPbF |
| Коэффициент снижения мощности | 0.01 W/°C |
| Standard pack quantity | 3000 |
Заметили ошибку в описании или параметрах?